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时代电气:三期宜兴IGBT芯片产线预计年内达产 株洲产线预计2025年底拉通
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时代电气宣布其IGBT芯片产线即将达到设计产能,株洲产线2025年底将拉通,项目为8英寸SiC晶圆。

【时代电气:三期宜兴IGBT芯片产线预计年内达产 株洲产线预计2025年底拉通】财联社7月23日电,时代电气在互动平台表示,公司IGBT一期、二期产线已经满产。三期宜兴IGBT芯片产线预计将于年内达到设计产能,三期株洲产线于2024年11月份启动建设,2025年5月主体厂房封顶,预计2025年下半年启动设备搬入,2025年底有望实现产线拉通,该项目为8英寸SiC晶圆。电网用高压器件目前产能充足。

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