长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得突破，首条全国产化产线将于2025年下半年试产。尽管面临美国实体清单的限制，长江存储仍积极扩张产能，计划到2025年实现每月15万片晶圆产能，并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。目前公司已出货232层TLC芯片，产品路线图包含1TB TLC和3D QLC芯片。分析师认为，国产化试验线若成功，有望显著提升比特产量和市场份额，但仍需克服在EUV等关键技术上的差距。

🌟 长江存储在国产化制造设备方面取得重大进展，计划于2025年下半年导入首条全国产化产线进行试产，旨在减少对外国设备的依赖，实现供应链自主可控。

🚀 公司产能扩张计划积极，目标在2025年达到每月15万片晶圆的产能，并力争到2026年底占据全球NAND闪存市场15%的份额，显示其在全球市场上的雄心。

💡 长江存储已出货232层TLC芯片（X4-9070），并通过堆叠两层实现294层结构，同时发布了1TB TLC设备和3D QLC X4-6080等新品，产品迭代速度快，技术能力不断提升。

📈 分析师指出，若国产化试验线成功，有望使比特产量翻倍并推高市场份额，但中国在EUV等关键领域仍存在技术差距，持续增长依赖于缩小设备和产量上的差距。

🔗 长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上已与市场领导者相当，表明其技术实力得到认可，但要实现长期领先，必须在核心设备和工艺上持续突破。

据报道，长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。长江存储自2022年底被列入美国商务部的实体清单以来，依然积极推进产能扩张计划，计划在2025年实现每月约15万片晶圆的产能（WSPM），并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。

目前，长江存储的产能已接近每月13万片晶圆，约占全球产能的8%，公司已经开始出货232层TLC（三层单元）芯片（X4-9070），该芯片通过堆叠两层实现总共294层。

长江存储的产品路线图包括一款1TB的TLC设备、计划于今年晚些时候推出的3D QLC X4-6080，以及一款2TB的TLC X5-9080。

未来几代产品预计将通过堆叠三层实现超过300层的结构，以提高每片晶圆的比特数，不过这可能会牺牲一些吞吐量。

为了减少对外国设备的依赖，长江存储计划在2025年下半年启动一条完全依赖国产工具的试验线。

分析师认为，如果试验成功，最终可能会使比特产量翻倍，并将市场份额推高至超过15%，但他们也提醒说，该设施是实验性的，大规模生产还需要时间。

TechInsights的报告显示，长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当，不过由于在极紫外光刻（EUV）等关键领域中国仍存在差距，这使得持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。