长江存储在国产化制造设备方面取得突破，计划于2025年下半年导入首条全国产化产线试产。尽管面临美国实体清单的限制，公司仍积极扩张产能，目标2025年达到月产15万片晶圆，并力争2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。目前，长江存储已接近月产13万片晶圆，并已出货232层TLC芯片。公司产品路线图涵盖1TB TLC、3D QLC X4-6080及2TB TLC X5-9080等，未来将通过堆叠三层实现300层以上结构。国产化产线的成功将有助于提升比特产量和市场份额，但仍需克服在EUV等关键领域的技术差距。

🌟 国产化制造突破：长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得重大进展，计划于2025年下半年导入首条完全依赖国产工具的试验线进行试产，旨在减少对外国设备的依赖，并有望在成功后将比特产量翻倍。

🚀 产能扩张与市场目标：即使被列入美国实体清单，长江存储仍积极推进产能扩张，目标在2025年实现每月约15万片晶圆的产能，并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%，目前其产能已接近月产13万片晶圆，约占全球产能的8%。

📱 产品技术路线：公司已开始出货232层TLC芯片（X4-9070），并通过堆叠实现294层。产品路线图包括1TB TLC设备、今年晚些时候推出的3D QLC X4-6080，以及2TB TLC X5-9080。未来将通过堆叠三层实现超过300层结构以提升比特数。

💡 技术挑战与机遇：长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上已与市场领导者相当，但中国在极紫外光刻（EUV）等关键领域仍存在差距。持续增长的关键在于缩小设备和产量差距的能力，这为国产化设备的发展提供了机遇，但也带来了挑战。

快科技7月22日消息，据报道，长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。

长江存储自2022年底被列入美国商务部的实体清单以来，依然积极推进产能扩张计划，计划在2025年实现每月约15万片晶圆的产能（WSPM），并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。

目前，长江存储的产能已接近每月13万片晶圆，约占全球产能的8%，公司已经开始出货232层TLC（三层单元）芯片（X4-9070），该芯片通过堆叠两层实现总共294层。

长江存储的产品路线图包括一款1TB的TLC设备、计划于今年晚些时候推出的3D QLC X4-6080，以及一款2TB的TLC X5-9080。

未来几代产品预计将通过堆叠三层实现超过300层的结构，以提高每片晶圆的比特数，不过这可能会牺牲一些吞吐量。

为了减少对外国设备的依赖，长江存储计划在2025年下半年启动一条完全依赖国产工具的试验线。

分析师认为，如果试验成功，最终可能会使比特产量翻倍，并将市场份额推高至超过15%，但他们也提醒说，该设施是实验性的，大规模生产还需要时间。

TechInsights的报告显示，长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当，不过由于在极紫外光刻（EUV）等关键领域中国仍存在差距，这使得持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。