三星电子正积极布局高带宽内存（HBM）市场，计划在本月底前向AMD和英伟达等主要客户提供其HBM4样品。尽管三星在HBM3市场推进相对缓慢，未能及时进入英伟达供应链，但随着HBM3E标准的推出，情况有所改善。三星此次推出的HBM4将采用10纳米级第六代DRAM工艺，旨在提高精度和良率。预计三星和SK海力士将在下半年量产HBM4，并于明年展开激烈竞争，打破SK海力士目前在HBM3E市场对英伟达的独家供应局面。竞争的加剧预计将导致HBM价格在明年下跌约10%，定价权将从制造商转向英伟达等客户。

🌟 三星电子计划在本月底前向AMD和英伟达等客户交付HBM4样品，标志着其在HBM市场的重要进展。此前，三星在HBM3市场表现不佳，未能进入英伟达主流供应链，此次HBM4的推出被视为改变这一状况的关键一步。

💡 三星的HBM4将采用10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，旨在实现更精密的制造和更高的良率。这预示着HBM技术将进一步提升性能和效率，以满足日益增长的高性能计算和AI应用需求。

🚀 三星和SK海力士预计将在下半年正式量产HBM4，并从明年开始全面展开市场竞争。这将打破SK海力士目前在HBM3E市场对英伟达的独家供应格局，为市场带来更多选择和更健康的竞争环境。

💰 随着HBM供应链厂商的增加和市场竞争的加剧，预计明年HBM价格将下跌约10%。高盛分析认为，HBM的定价权将从制造商转移到英伟达等客户手中，这将对整个产业链的利润分配产生影响。

IT之家 7 月 21 日消息，据韩媒《亚洲日报》今日报道，三星已准备在本月底前向 AMD 和英伟达等客户提供 HBM4 样品。

据悉，三星在 HBM（高带宽内存）市场的表现一直不是很理想，特别是在 HBM3 方面推进迟缓。由于未能及时通过英伟达等公司的认证，严重影响了其营收表现。这种状况虽然在 HBM3E 标准推出后有所改善，但三星仍未能打入英伟达的主流供应链。

不过，这种情况极有可能将发生改变，三星计划应用 10 纳米级第六代（1c）DRAM 工艺，开发更精密、良率更高的 HBM4。后续三星和 SK 海力士都计划在下半年正式量产 HBM4，并从明年起全面展开竞争，改变如今 SK 海力士独家向英伟达供应 HBM3E 的现状。

随着 HBM 供应链厂商的增加，英伟达将获得明年发布的新款 AI 加速器“Rubin”的定价主导权，预计 AMD 的 MI400 也将如此。

投资银行高盛对此分析道：“由于竞争加剧，预计明年 HBM 的价格将下跌 10%。HBM 的定价权将从制造商转移到以英伟达为代表的客户手中”。这意味着 SK 海力士垄断 80-90% 英伟达订单的局面将不复存在。

就算三星未能通过英伟达的相关认证，HBM 的价格也将下降。因为英伟达可能用已通过认证的美光作为筹码，要求 SK 海力士给出一个合理的价格。

IT之家注：HBM（高带宽内存）是三星电子、AMD 和 SK 海力士发起的一种基于 3D 堆栈技术的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，可与高性能 GPU、网络交换及转发设备、高性能数据中心的 AI ASIC 结合使用。