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日本半导体逆袭成功!正式宣布2nm晶圆试产
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日本芯片制造商Rapidus已宣布启动2nm晶圆的测试生产,并预计于2027年正式量产。该公司在日本的IIM-1厂区已开始对采用2nm全环绕栅极架构(GAA)晶体管技术的测试晶圆进行原型制作,并确认早期测试晶圆已达到预期的电气特性,制程技术开发进展顺利。Rapidus的IIM-1厂区建设进展正常,已连接超过200套先进设备,包括DUV和EUV光刻工具。此举标志着日本半导体产业在先进工艺上的重要进步,旨在重振其在全球半导体领域的竞争力。

💡 Rapidus已成功启动2nm芯片的测试生产,并计划于2027年实现量产。其位于日本的IIM-1厂区正在进行采用GAA晶体管技术的原型制作,早期测试结果显示电气特性符合预期,表明制程技术开发进展顺利。

🔬 原型制作是半导体生产的关键步骤,用于验证新技术制造的早期测试电路的可靠性、效率和性能。Rapidus正在对测试电路的关键电气特性进行详细测量,包括临界电压、驱动电流、漏电流、次临界斜率、开关速度、功耗和电容等。

🏗️ Rapidus的IIM-1厂区建设进展顺利,无尘室已于2024年完成,截至2025年6月已安装了超过200套先进设备,其中包括高端的DUV和EUV光刻工具,为2nm制程的生产奠定了坚实的基础。

📈 此前日本本土半导体产业在与中国台湾和韩国的竞争中面临挑战,先进工艺落后。Rapidus在2nm制程上的突破,以及台积电在日本的大规模投资,预示着日本半导体产业正努力追赶并重塑其在全球的地位。

快科技7月20日消息,据媒体报道,日本芯片制造商Rapidus已宣布启动2nm晶圆的测试生产,预计2027年正式进入量产阶段。

根据Tomshardware报道,在Rapidus日本的IIM-1厂区已经展开对采用2nm全环绕栅极架构(GAA) 晶体管技术的测试晶圆进行原型制作。

公司确认,早期测试晶圆已达到预期的电气特性,这表示其晶圆厂工具运作正常,制程技术开发进展顺利。

原型制作是半导体生产中的一个重要里程碑,目的在验证使用新技术制造的早期测试电路是否可靠、高效并达到性能目标。

Rapidus目前正在测量其测试电路的电气特性,包括临界电压、驱动电流、漏电流、次临界斜率、开关速度、功耗和电容等参数。

另外,Rapidus的IIM-1厂区自2023年9月动工以来件展正常,无尘室于2024年完成,截至2025年6月已连接超过200套设备,包括先进的DUV和EUV光刻工具。

之前有说法认为,日本本国的半导体产业在中国台湾地区和韩国半导体产业多年打击后,其老旧产线基本退出,仅剩少数设备仍在运行。

在台积电大规模投资日本工厂之前,日本连量产40nm制程芯片都难以实现,在制程领域甚至落后于中国大陆。

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