据报道，三星电子副会长全永贤近期赴美与英伟达洽谈HBM3E 12层产品的供应及代工合作。此前，三星曾因产品质量问题未获英伟达认证，目前正以改进设计的新版本重新申请。同时，三星已成功向AMD供应HBM3E 12层产品，增强了其竞争力。此次会谈还涉及了HBM4的未来供货方向，三星计划通过更先进的HBM4产品实现技术反超，与SK海力士和美光展开更激烈的竞争。

💡三星电子DS部门主管全永贤赴美，与英伟达讨论HBM3E 12层产品的供应和代工合作，以争取订单。

🤔三星此前申请英伟达HBM3E认证未通过，目前已改进设计并重新申请，力求获得英伟达的认可。

✅三星已成功向AMD MI350X系列AI芯片供应HBM3E 12层产品，这增强了其产品的市场竞争力。

🚀全永贤此行还与英伟达讨论了第六代HBM（HBM4）的未来供货方向，三星计划凭借更先进的HBM4产品实现技术反超。

IT之家 7 月 7 日消息，据韩媒 news1 报道，三星电子 DS（半导体）部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国，与英伟达就 HBM3E 12 层产品供应及代工业务进行一系列洽谈，争取可能的订单。

目前，三星的首要任务之一就是向英伟达供应 HBM3E 12 层产品，该公司从去年开始就积极争取英伟达的质量认证，不过遭英伟达驳回，目前，三星正以改进设计的新版本重新申请英伟达认证并尝试向其供货。

作为比较，近期三星已成功向 AMD MI350X 系列 AI 芯片供应 HBM3E 12 层产品，这一进展在很大程度上打消了外界对其品质的担忧，也提升了通过英伟达认证的可能性。如果三星顺利获得英伟达订单，将与目前在 HBM 领域领先的 SK 海力士以及美国美光展开更为激烈的竞争。

除此之外，业界普遍推测，全永贤此行还与英伟达方面讨论了第六代 HBM（HBM4）的未来供货方向。该公司竞争对手 SK 海力士和美光已分别在今年 3 月和 6 月向客户交付了基于第五代 10 纳米级 DRAM（1b 工艺）的 HBM4 样品，而三星计划凭借采用更先进第六代（1c 工艺）DRAM 的 HBM4 产品实现技术反超。