全球半导体设备巨头ASML正在研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，以满足未来十年芯片产业的需求。新光刻机由ASML及其光学合作伙伴蔡司共同研发，旨在单次曝光中实现5nm分辨率的印刷能力，相比之下，目前最先进的光刻机单次曝光可达8nm分辨率。ASML的目标是将数值孔径（NA）提升至0.7或以上，这将是决定电路图样精细投影到晶圆上的关键因素。这项技术进步有望提高芯片制造的效率和良率，为2035年及以后的制程需求做好准备。

💡ASML正在研发下一代Hyper NA EUV光刻机，旨在推动芯片制造技术的革新。这项研发是为满足2035年及以后的制程需求所做的准备。

🔬新光刻机由ASML与光学合作伙伴蔡司共同研发，目标是单次曝光实现5nm分辨率的印刷。目前最先进的光刻机单次曝光可达8nm分辨率。之前的老旧光刻机需要多次曝光才能达到类似分辨率，效率较低，良率也有限。

⚙️新光刻机的关键技术指标是数值孔径（NA），ASML的目标是将NA提升至0.7或以上。数值孔径是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，NA越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。

📈目前标准EUV光刻机的NA为0.33，最新一代High NA EUV则提升至0.55。ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。

全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，为未来十年的芯片产业做准备。Jos Benschop表示，ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机，可满足2035年之后的制程需求。

据悉，ASML目前出货的最先进光刻机，可达到单次曝光8nm分辨率。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低，而且良率也有限。

Benschop指出，ASML正与蔡司进行设计研究，目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，目前尚未设定具体上市时间表。

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。 当NA越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。

目前标准EUV光刻机的NA为0.33，最新一代High NA EUV则提升至0.55。 当下，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。

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