全球半导体设备巨头ASML正积极研发新一代Hyper NA EUV光刻机，以满足未来十年芯片产业的需求。这款先进光刻机由ASML与蔡司合作开发，目标是在单次曝光中实现5nm分辨率，从而提升芯片制造的效率和良率。目前ASML已出货的最先进光刻机可实现8nm分辨率，而新一代技术旨在进一步提高数值孔径（NA），从而提升光刻精度。ASML正致力于将NA提升至0.7或更高，为2035年之后的制程需求做好准备。

💡ASML正在研发下一代Hyper NA EUV光刻机，旨在满足2035年之后的芯片制程需求。

🔬ASML与光学合作伙伴蔡司合作，目标是在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的光刻机。

⚙️目前ASML出货的最先进光刻机可实现单次曝光8nm分辨率，而旧光刻机需要多次曝光才能达到类似分辨率，效率较低且良率有限。

🔍新一代光刻机的关键在于提升数值孔径（NA）。标准EUV光刻机的NA为0.33，High NA EUV提升至0.55，ASML的目标是实现NA 0.7或更高。

💡数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，NA越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。

全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，为未来十年的芯片产业做准备。Jos Benschop表示，ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机，可满足2035年之后的制程需求。

据悉，ASML目前出货的最先进光刻机，可达到单次曝光8nm分辨率。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低，而且良率也有限。

Benschop指出，ASML正与蔡司进行设计研究，目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，目前尚未设定具体上市时间表。

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。 当NA越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。

目前标准EUV光刻机的NA为0.33，最新一代High NA EUV则提升至0.55。 当下，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。