全球半导体设备巨头ASML正在研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，以满足未来十年芯片产业的需求。这款光刻机旨在实现单次曝光5nm的分辨率，远超目前最先进光刻机的8nm分辨率。ASML与蔡司合作，目标是实现数值孔径（NA）0.7或以上，这将显著提高印刷分辨率。新技术的研发将有助于提高效率和良率，为2035年及以后的芯片制程提供支持。

💡ASML正在研发Hyper NA EUV光刻机，旨在满足2035年及以后的芯片制程需求。

🔬新光刻机可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的电路，而目前最先进的光刻机为8nm，旧光刻机则需要多次曝光。

⚙️ASML与光学合作伙伴蔡司合作，目标是实现数值孔径（NA）0.7或以上。NA是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，NA越大，印刷分辨率越高。

📈目前标准EUV光刻机的NA为0.33，最新一代High NA EUV则提升至0.55。ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。

快科技6月29日消息，全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，为未来十年的芯片产业做准备。

Jos Benschop表示，ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机，可满足2035年之后的制程需求。

据悉，ASML目前出货的最先进光刻机，可达到单次曝光8nm分辨率。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低，而且良率也有限。

Benschop指出，ASML正与蔡司进行设计研究，目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，目前尚未设定具体上市时间表。

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。 当NA越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。

目前标准EUV光刻机的NA为0.33，最新一代High NA EUV则提升至0.55。 当下，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。