根据投资研究平台Tegus披露的讨论内容，一位英特尔总监表示，未来的晶体管设计将减少对先进光刻设备的依赖，转而提升刻蚀技术的重要性。随着GAAFET和CFET等新型三维晶体管结构的发展，高端芯片制造对光刻环节的需求将会减弱。这位总监指出，新的晶体管结构要求从各个方向包裹栅极，刻蚀工艺在去除多余材料方面变得至关重要，制造商将更专注于通过刻蚀工艺来缩小特征尺寸，而非依赖延长光刻时间。这种转变意味着高数值孔径光刻机在先进制程中的重要性可能会降低。

💡**光刻与刻蚀的传统分工：** 芯片制造过程中，光刻技术负责将电路设计转移到晶圆上，而刻蚀工艺则用于选择性地去除材料，形成晶体管结构。目前主流的FinFET晶体管底部连接绝缘材料，通过栅极控制电流。

🔄**新型晶体管结构的发展：** GAAFET和CFET等三维晶体管结构正在发展。GAAFET使栅极包裹晶体管，晶体管组平行排列；CFET则将晶体管组垂直堆叠，以节省晶圆空间。

📉**对光刻设备依赖的降低：** 英特尔总监认为，由于GAAFET和CFET等三维结构允许芯片在垂直方向上实现高密度，因此对最小特征尺寸的依赖降低，高数值孔径光刻机的重要性将低于当前EUV设备在7nm及更先进技术节点中的地位。

🛠️**刻蚀工艺的重要性提升：** 新型三维晶体管结构，如GAAFET和CFET，要求从各个方向包裹栅极，使得横向去除多余材料成为关键。制造商将更专注于通过刻蚀工艺去除材料，而非延长晶圆在光刻机中的处理时间来缩小特征尺寸。

IT之家 6 月 21 日消息，据投资研究平台 Tegus 披露的讨论内容，一位匿名英特尔总监表示，未来晶体管设计将降低对先进光刻设备的依赖，转而提升刻蚀技术的核心地位。

他认为，随着全环绕栅极场效应晶体管（IT之家注：即 GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）等新型结构的发展，高端芯片制造对光刻环节的总体需求将会减弱。

当前芯片制造流程中：

光刻环节：ASML 极紫外（EUV）及高数值孔径（High NA）光刻机将电路设计转印至晶圆

后处理环节：通过沉积工艺添加材料，再经刻蚀工艺选择性去除材料形成晶体管结构

这位英特尔总监强调，GAAFET 与 CFET 等三维晶体管结构要求“从各个方向包裹栅极”，使得横向去除多余材料成为关键，“制造商将更专注于通过刻蚀工艺去除材料，而非延长晶圆在光刻机中的处理时间来缩小特征尺寸。”

对于当前技术方案，目前最主流的还是鳍式场效应晶体管（FinFET），使晶体管底部连接绝缘材料，使电流通过栅极来完成控制；而新型设计则主要包括：

GAAFET：使栅极包裹晶体管，晶体管组平行排列

CFET：将晶体管组垂直堆叠，可显著节省晶圆空间

英特尔总监表示，这种三维结构使芯片制造“降低对最小特征尺寸的依赖，因为不仅能在平面上实现高密度，还能通过垂直堆叠达成”，因此高数值孔径光刻机在先进制程中的重要性“将低于当前 EUV 设备在 7nm 及更先进技术节点中的关键地位”。