英特尔董事提出，未来晶体管设计可能降低对先进光刻设备，尤其是EUV光刻机的依赖。目前，EUV光刻机是制造高端芯片的关键设备，但新型晶体管设计（如GAAFET和CFET）将增加光刻后制造步骤（特别是刻蚀技术）的重要性。这意味着芯片制造的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂、更关键的刻蚀工艺，以确保新型三维晶体管结构的精确成型。这一转变预示着芯片制造技术路线的重大变革。

💡 当前芯片制造依赖ASML的EUV光刻机，用于将微小电路设计“打印”到硅晶圆上，是制造高端芯片的关键。

🔄 新型晶体管设计，如GAAFET和CFET，通过“包裹”栅极结构或堆叠晶体管组，增加了制造的复杂性。

📐 新型设计对刻蚀工艺提出了更高要求。为了从各个方向“包裹”栅极或创建堆叠结构，需要更精细地去除晶圆上的多余材料。

💡 未来芯片制造的重点可能从依赖光刻机转向更复杂的刻蚀工艺，以确保新型三维晶体管结构的精确成型，这预示着技术路线的转变。

英特尔一位董事提出，未来晶体管设计（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造对先进光刻设备（尤其是EUV光刻机）的依赖。这一观点挑战了当前先进芯片制造的核心范式。目前，ASML的极紫外（EUV）光刻机是制造高端芯片（如7nm及以下节点）的关键设备，它负责将极其微小的电路设计“打印”到硅晶圆上。

然而，该董事认为，像环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）这样的新型设计，将显著增加光刻之后制造步骤（特别是刻蚀技术）的重要性，从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。

芯片制造流程始于光刻——将设计图案转移到晶圆表面。随后通过沉积添加材料，并通过刻蚀选择性地去除材料，最终形成晶体管和电路结构。

新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构（GAAFET）或堆叠晶体管组（CFET）。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀提出了更高要求。为了从各个方向“包裹”栅极或创建堆叠结构，芯片制造商需要更精细地、特别是横向地去除晶圆上的多余材料。

因此，该董事指出，未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂、更关键的刻蚀工艺，以确保这些新型三维晶体管结构的精确成型。这预示着芯片制造技术路线可能迎来重大转变。

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