美光科技宣布一项总额约2000亿美元的投资计划，旨在扩大其在美国的生产和研发活动。该计划包括1500亿美元用于国内内存芯片制造，以及500亿美元用于研发，预计将创造约9万个就业岗位。美光希望借此满足市场需求，保持市场份额，并支持其在美国生产40% DRAM的目标。投资将用于在爱达荷州、弗吉尼亚州和纽约建设或现代化工厂，并提升封装能力，推动HBM的长期增长。美光此举旨在巩固美国的技术领导地位，确保国内半导体供应，对经济和国家安全至关重要。

🏭美光科技计划投资约2000亿美元，其中1500亿美元用于国内内存芯片制造，500亿美元用于研发。

💼 这笔投资预计将直接和间接创造约9万个就业岗位，表明了对美国就业市场的积极影响。

🎯 美光的目标包括满足市场预期需求，保持市场份额，并支持在美国生产40% DRAM的目标，显示其战略布局。

📍 投资将涉及在爱达荷州博伊西新建工厂，以及在弗吉尼亚州马纳萨斯现代化现有设施，并继续推进在纽约建设大型工厂的计划。

💡 此次投资还将为美国带来先进的封装能力，推动HBM的长期增长，这对于提升技术水平至关重要。

快科技6月13日消息，美光科技日前宣布，将投资约2000亿美元（约14363亿元人民币），在美国扩大生产和研发活动。

根据美光的声明，此次投资计划包括1500亿美元用于国内内存芯片制造，以及500亿美元用于研发，预计将直接和间接创造约9万个就业岗位。

美光表示，这些投资旨在满足市场预期需求，保持市场份额，并支持其在美国生产40% DRAM的目标。

美光还表示计划在爱达荷州博伊西新建一座领先的内存芯片工厂，美光还将在弗吉尼亚州马纳萨斯现代化现有制造设施，并继续推进在纽约建设大型工厂的计划。

此次投资将为美国带来先进的封装能力，推动HBM的长期增长，美光CEO表示：“这一约2000亿美元的投资将巩固美国的技术领导地位，为半导体生态系统创造数万个美国工作岗位，并确保国内半导体供应，这对于经济和国家安全至关重要。”

投资时间表目前尚未确定，但预计将在未来四年内完成，美光也并非唯一一家宣布在美国巨额投资计划的厂商。