美光公司在HBM4架构上取得了显著进展，该架构采用12-Hi堆叠设计，每个封装提供36GB容量，预计2026年初全面量产。HBM4基于美光成熟的1β工艺节点，通过将接口宽度翻倍至2048位，实现了高达2TB/s的持续内存带宽，相比HBM3E提升了20%。NVIDIA和AMD已计划在其下一代产品中采用HBM4，以满足生成式AI和高性能计算等领域对更高带宽和容量的需求。散热性能和实际基准测试将是HBM4面临的关键挑战。

🚀 HBM4架构的核心在于其12-Hi堆叠设计，每个封装可容纳12个DRAM芯片，总容量达到36GB。美光计划在未来几周内向主要合作伙伴交付工程样品，为2026年初的全面量产奠定基础。

💡 HBM4基于美光公司成熟的1β工艺节点，该节点自2022年起投入生产。通过将接口宽度从1024位增加到2048位，HBM4实现了高达2TB/s的持续内存带宽，相较于HBM3E标准提升了20%。

🤝 NVIDIA和AMD已计划在其未来的产品中采用HBM4。NVIDIA计划在2026年下半年将HBM4集成到Rubin-Vera AI加速器中，而AMD则计划将其集成到下一代Instinct MI400系列中。

🔥 HBM4的优势在于其更高的容量和带宽，能够满足生成式AI、高性能计算等数据密集型应用的需求。然而，散热性能和实际基准测试将是美光公司量产HBM4时需要克服的关键挑战。

美光公司在 HBM4 架构方面取得了重大进展，该架构将堆叠 12 个 DRAM 芯片（12-Hi），每个封装可提供 36 GB 的容量。据公司代表称，首批工程样品计划在未来几周内向主要合作伙伴发货，为 2026 年初的全面量产奠定基础。

HBM4 设计基于美光公司成熟的 DRAM 单元 1β（“one-beta”）工艺节点，该节点自 2022 年起投入生产，同时公司还准备在今年晚些时候推出支持 EUV 技术的 DDR5 1γ（“one-gamma”）。

通过将接口宽度从每个堆栈 1，024 位增加到 2048 位，每个 HBM4 芯片可实现 2 TB/s 的持续内存带宽，这意味着效率比现有的 HBM3E 标准提升了 20%。NVIDIA

和 AMD 预计将成为美光 HBM4 的早期采用者。 NVIDIA 计划在 2026 年下半年将这些内存模块集成到即将推出的 Rubin-Vera AI 加速器中。AMD 预计将把 HBM4 集成到其下一代 Instinct MI400 系列中，更多信息将在 AMD 的 Advancing AI 2025 大会上公布。

HBM4 更高的容量和带宽将满足生成式 AI、高性能计算和其他数据密集型应用日益增长的需求。更大的堆栈高度和更宽的接口宽度可实现更高效的数据移动，这是多芯片配置和内存一致性互连的关键因素。

随着美光公司开始量产 HBM4，需要克服的主要障碍将是散热性能和实际基准测试，这将决定这一新内存标准能否有效地支持最苛刻的 AI 工作负载。