三星电子加速LPDDR6内存的研发与量产，计划于今年下半年采用第六代1c DRAM工艺，并向高通等科技巨头供货。此举旨在应对中国存储厂商长鑫存储的追赶，并满足AI应用对高性能内存的需求。1c DRAM工艺提升了晶体管密度和能效比，三星通过设计变更提高良品率，为LPDDR6内存的推出奠定基础。高通的下一代旗舰芯片将首发支持LPDDR6，预示着该内存将在智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场中占据重要地位。三星还将1c DRAM技术应用于HBM4等高端存储产品，构建全面的AI内存解决方案。

💡 三星将于今年下半年采用第六代1c DRAM工艺，开始量产下一代LPDDR6内存，并计划向高通等科技巨头供货，以应对市场竞争。

⚙️ 1c DRAM工艺相比前代实现了更高的晶体管密度和更优的能效比。三星通过“设计变更”策略显著提升了1c DRAM的良品率，冷态达50%，热态达60%-70%。

🚀 基于1c DRAM工艺开发的LPDDR6内存，在带宽和功耗表现上均有显著提升，能够满足AI模型训练、移动终端高性能计算等对内存性能的严苛需求。

📱 高通的下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存。三星计划通过向高通等厂商供货，深化在智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场的渗透，巩固其技术壁垒。

🏭 三星正积极推进华城工厂新生产线的建设，预计最早于今年年底完成，以支持LPDDR6及1c DRAM的量产。三星打破了传统的开发顺序，同步开发面向DDR和LPDDR应用的1c DRAM产品。

快科技6月9日消息 ，据媒体报道，三星电子设备解决方案（DS）部门副董事长全永铉宣布，三星将于今年下半年采用第六代“1c DRAM”工艺，开始量产下一代LPDDR6内存，并计划向高通等科技巨头供货。

面对中国存储厂商长鑫存储（CXMT）已完成LPDDR5X内存开发并积极追赶的态势，三星明显加快了LPDDR6的自主研发步伐。业内观察认为，长鑫存储有望在2026年左右实现其产品的全面量产。

1c DRAM作为DRAM制造的第六代工艺节点，相比前代实现了更高的晶体管密度和更优的能效比。三星通过“设计变更”策略显著提升了1c DRAM的良品率（冷态达50%，热态达60%-70%），并计划在韩国华城工厂建设新产线扩大产能。

基于此工艺开发的LPDDR6内存，在带宽和功耗表现上均有显著提升，能够满足AI模型训练、移动终端高性能计算等对内存性能的严苛需求。

行业消息显示，高通的下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存，并计划于今年的骁龙峰会上正式亮相。随着AI应用向终端设备下沉，LPDDR6的高带宽与高能效成为关键竞争力。

三星计划通过向高通等厂商供货，深化在智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场的渗透，巩固其技术壁垒。此外，三星也将在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术，构建覆盖AI全场景的内存解决方案。

为支持LPDDR6及1c DRAM的量产，三星正积极推进华城工厂新生产线的建设，预计最早于今年年底完成。值得注意的是，三星打破了传统的开发顺序，正同步开发面向DDR（服务器/PC）和LPDDR（移动/低功耗）应用的1c DRAM产品，以加速其商业化进程。