西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心研究团队在蓝宝石基增强型 e-GaN 电力电子芯片量产技术研发方面取得重大突破。该团队攻克了超薄 GaN 缓冲层外延、p-GaN 栅 HEMTs 设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等技术难题，成功开发出阈值电压超过 2V、耐压达 3000V 的 6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆。同时，研究团队还成功研发了 8 英寸 GaN 电力电子芯片，证明了 8 英寸蓝宝石基 GaN HEMTs 晶圆量产的可行性，打破了传统 GaN 技术难以兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题。

🎉 **突破性技术攻关**：西安电子科技大学研究团队成功攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化镓）缓冲层外延、p-GaN 栅 HEMTs 设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术，为蓝宝石基增强型 e-GaN 电力电子芯片的量产奠定了坚实基础。该团队研发的 6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆，具有阈值电压超过 2V、耐压达 3000V 的优异性能，展现了其在高功率电子器件领域的巨大潜力。

🚀 **8 英寸 GaN 电力电子芯片研发成功**：研究团队成功研发了 8 英寸 GaN 电力电子芯片，首次证明了 8 英寸蓝宝石基 GaN HEMTs 晶圆量产的可行性。这一突破打破了传统 GaN 技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，为未来 GaN 器件的规模化应用开辟了新的道路。

💡 **应用前景广阔**：蓝宝石基增强型 e-GaN 电力电子芯片具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点，在数据中心、新能源汽车、航空航天等领域有着广泛的应用前景。西安电子科技大学的这一突破将推动我国第三代半导体产业的快速发展，为我国在未来高科技领域争夺话语权提供重要支撑。

IT之家 7 月 11 日消息，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心研究团队在蓝宝石基增强型 e-GaN 电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。

研究团队攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化镓）缓冲层外延、p-GaN 栅 HEMTs 设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术，成功开发出阈值电压超过 2V、耐压达 3000V 的 6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆。该研究发表在《IEEE Electron Device Letters》上并入选封面 highlight 论文。

在该项目的研究中，研究团队还成功研发了 8 英寸 GaN 电力电子芯片，首次证明了 8 英寸蓝宝石基 GaN HEMTs 晶圆量产的可行性，并打破了传统 GaN 技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，被国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today》专题报道。

IT之家附相关论文与报道链接：

https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=10530877

https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=10541942

https://www.semiconductor-today.com/news_items/2024/jun/xidian-200624.shtml