ASML CEO 近日接受采访时表示，中国正在研发国产光刻设备。他认为，尽管中国在技术上仍需追赶，但美国的打压措施反而会促使中国更加努力。此前，中国科学院成功研发了突破性的固态DUV激光技术，可用于3nm工艺节点。这项技术降低了光刻系统的复杂度、体积和能耗，但输出功率和频率仍需提升。相关技术已在国际光电工程学会(SPIE)官网上公布。

💡ASML CEO 认为，中国正在研发国产光刻设备。他表示，尽管中国在技术上仍需追赶，但美国的打压措施只会促使中国更加努力。

🔬中国科学院成功研发了突破性的固态DUV(深紫外)激光技术，可发射193nm的相干光，与主流DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。

⚙️这项固态DUV激光技术在设计上降低了光刻系统的复杂度、体积，减少了对稀有气体的依赖，并大大降低了能耗。

📊虽然该技术在光谱纯度上已与商用标准相差无几，但输出功率和频率仍有待提升。与ASML的技术相比，频率达到了约2/3，但输出功率仅为0.7%。

快科技6月7日消息，据国外媒体报道称，近日ASML CEO接受媒体采访时表示，中国早已研发国产光刻设备。

在这位CEO看来，尽管中国在赶超ASML的技术方面还有很长的路要走，但美国出台的打压措施只会适得其反，让中国“更努力取得成功”。他还称，与其打压中国等竞争对手，不如将注意力放在创新上。

“中国已经开始研发一些国产光刻设备，尽管中国在赶超ASML的技术方面还有很长的路要走，但你试图阻止的人会更加努力地取得成功。”

在这之前，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。

中国科学院的这种技术最终获得的激光平均功率为70mW，频率为6kHz，线宽低于880MHz，半峰全宽(FWHM)小于0.11pm(皮米，千分之一纳米)，光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。

基于此，甚至可用于3nm的工艺节点。

这种设计可以大幅降低光刻系统的复杂度、体积，减少对于稀有气体的依赖，并大大降低能耗。

相关技术已经在国际光电工程学会(SPIE)的官网上公布。这种全固态DUV光源技术虽然在光谱纯度上已经和商用标准相差无几，但是输出功率、频率都还低得多。

对比ASML的技术，频率赢达到了约2/3，但输出功率只有0.7％的水平，因此仍然需要继续迭代、提升才能落地。