美光公司宣布已开始出货全球首款基于1γ制程节点的LPDDR5X内存样品，旨在提升旗舰智能手机的AI性能。这款内存是目前市场上最先进的低功耗DRAM产品之一，采用第六代10nm级别DRAM工艺，特征尺寸约为11到12纳米。美光计划在2026年推出从8GB到32GB的全系列容量产品。该内存速度高达10.7Gbps，功耗降低了最高20%。此外，为了适应更轻薄的智能手机设计，美光还将其设计为行业最薄的封装。

🚀 美光推出的1γ制程LPDDR5X内存是全球首款，专为提升旗舰智能手机的AI性能设计。

📏 1γ制程是第六代10nm级别DRAM工艺，特征尺寸约为11到12纳米，属于目前最先进的低功耗DRAM产品。

⚡️ 该内存速度高达10.7Gbps，功耗降低了最高20%，旨在提供更高效的性能表现。

📐 为了适应更轻薄的智能手机设计，美光将LPDDR5X内存设计为行业最薄的封装，厚度仅为0.61毫米。

💡 美光是首款采用极紫外光刻（EUV）技术的移动内存解决方案，而三星和SK海力士也在加速开发同类产品。

快科技6月4日消息，美光宣布，已开始出货全球首款基于1γ制程节点的LPDDR5X内存样品，旨在提升旗舰智能手机的AI性能。

1γ制程是第六代10nm级别DRAM工艺，其特征尺寸约为11到12纳米，通常在韩国半导体行业被称为1c DRAM。

美光的1γ节点LPDDR5X内存是目前市场上最先进的低功耗DRAM产品之一，主要用于移动设备。

美光目前正向部分合作伙伴提供基于1γ节点的16GB LPDDR5X内存样品，并计划在2026年推出从8GB到32GB的全系列容量产品，以满足旗舰智能手机的需求。

美光的这款LPDDR5X内存具备行业最快的10.7Gbps速度，同时功耗降低了最高20%。

此外，为了支持更轻薄的智能手机设计，美光将LPDDR5X内存设计为行业最薄的封装，厚度仅为0.61毫米，比竞品薄6%，比上一代低14%。

美光还在其新闻稿中指出，1γ节点的LPDDR5X是其首款采用极紫外光刻（EUV）技术的移动内存解决方案。

与此同时，美光的韩国竞争对手三星和SK海力士也在加速开发自己的1c DRAM，今年1月，SK海力士已完成1c DDR5的大规模生产认证；三星则将第六代10nm级别DRAM的开发目标推迟到2025年6月。