DeepTech深科技 06月03日 21:09
英特尔存储业务回归,将联手软银合作开发功耗减半的AI存储芯片
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软银集团与英特尔公司携手合作,共同开发名为“Saimemory”的新型低功耗人工智能存储芯片,旨在降低AI硬件的能耗。该项目计划研发出性能与高带宽存储器(HBM)相当,但功耗降低一半以上的产品,预计在2027年进行可行性演示,并于2030年前实现商业化。软银将作为主要投资者,投资30亿日元,总项目成本预计达7000万美元。英特尔的参与也标志着其在存储器领域的重要回归。该项目有望推动日本半导体产业的复兴。

💡 Saimemory 项目的目标是研发一种创新的堆叠式动态随机存取存储器(DRAM)技术,作为当前AI服务器中广泛采用的HBM的替代品。该技术旨在提供与HBM相媲美的高带宽性能,同时显著降低能源消耗,目标是将能耗降低一半甚至更多。

💰 软银在此合作中扮演了关键的投资者角色,已决定初期投入30亿日元,成为最大的出资方。整个项目的总成本预计将达到100亿日元(约合7000万美元)。英特尔、理化学研究所和新光电气工业等机构和企业也在考虑投资和技术合作。

⚙️ Saimemory 项目的核心在于优化DRAM芯片的堆叠方式和内部连接线路的结构,以降低存储器在AI运算过程中的瞬时数据处理功耗。若成功,将大幅降低AI数据中心的运营成本,并有助于构建更高效、更环保的AI基础设施。

🔄 英特尔的参与对Saimemory 项目具有重要意义。英特尔在先进封装、芯片堆叠等领域的技术积累,将为Saimemory 的研发提供重要支持。同时,Saimemory 的研发方向也与三星等公司有所区别,后者主要致力于通过3D堆叠提升DRAM容量。

KIK 2025-06-03 18:49 北京

近日,日本软银集团(SoftBank)与美国英特尔公司(Intel)已达成合作,共同开发一种新型的低功耗人工智

近日,日本软银集团(SoftBank)与美国英特尔公司(Intel)已达成合作,共同开发一种新型的低功耗人工智能存储芯片。这个名为“Saimemory”的合作项目,旨在研发出性能媲美当前主流高带宽存储器(HBM,High Bandwidth Memory),但功耗降低一半以上的创新产品,预示着 AI 硬件领域可能迎来一次重要的能效革命。

据报道,两家公司为此合作已成立一个名为“Saimemory”的实体公司。The Register 通过公司注册记录发现,确有一家公司在 2024 年末更名为 Saimemory。Saimemory 的核心使命是研发一种创新的堆叠式动态随机存取存储器(DRAM,Dynamic Random Access Memory)技术,它被定位为当前 AI 服务器中广泛采用的 HBM 的有力替代品。尽管 HBM 在 AI 领域展现出卓越的性能,但其高昂的成本、巨大的功耗以及复杂的制造工艺一直是行业面临的挑战。Saimemory 的目标则是在提供与 HBM 相媲美的高带宽性能的同时,显著降低能源消耗,力求达到现有产品能耗的一半甚至更低。

图丨该公司注册记录(来源:Alarmbox)

项目的初步目标是在未来两年内完成原型芯片的生产,并在 2027 年实现可行性演示,最终期望在 2030 年前实现商业化。软银在此合作中扮演了关键的投资者角色,已决定初期投入 30 亿日元,成为最大的出资方。整个项目的总成本预计将达到 100 亿日元(约合 7000 万美元),除了英特尔和软银,日本的理化学研究所(Institute of Physics and Chemistry)和新光电气工业(Shinko Electric Industry)等机构和企业也在考虑投资和技术合作,并可能寻求国家层面的财政支持。

当前,人工智能处理器,特别是用于大规模模型训练和推理的 GPU,高度依赖 HBM 来满足其巨大的数据吞吐需求。HBM 通过堆叠多层 DRAM 芯片并采用硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术实现极高的带宽,但其制造成本高昂、工艺复杂、功耗较大且发热严重。随着 AI 应用的爆炸式增长,对 HBM 的需求激增,导致三星、SK 海力士和美光这三大主要供应商的产能持续紧张,价格也居高不下。

Saimemory 项目的核心目标,正是要攻克 HBM 在功耗和成本上的瓶颈。报道称,通过优化 DRAM 芯片的堆叠方式和内部连接线路的结构,Saimemory 旨在将存储器在 AI 运算过程中的瞬时数据处理功耗降低至现有产品的一半以下。如果成功,这不仅能大幅降低 AI 数据中心的运营成本,尤其是在能源供应日益紧张的背景下,还将有助于构建更高效、更环保的 AI 基础设施。

对于软银而言,此次合作的战略意义尤为重大。日经新闻指出,一旦 Saimemory 的产品成功面市,软银将作为优先客户获得供应。软银计划将这种新型存储器应用于其正在筹建的 AI 学习数据中心,以期实现高质量、低成本的 AI 运算服务。这对于正积极投身 AI 浪潮的软银来说,无疑是确保其未来竞争力的关键一步。

对英特尔来说,参与 Saimemory 项目标志着其在存储器领域的一次重要回归。英特尔曾在 2022 年决定退出其 Optane(傲腾)存储业务,将其 NAND 闪存业务出售给 SK 海力士,但保留了 Optane 相关的 3D XPoint 技术和专利。尽管 Saimemory 专注于 DRAM 技术,与 Optane 的非易失性存储技术路径不同,但英特尔在先进封装、芯片堆叠等领域的技术积累,无疑将为 Saimemory 的研发提供重要支持。即便目前英特尔财务状况面临一定压力,但这笔约 7000 万美元的投入对于其战略布局而言仍在可承受范围。

图丨Intel Optane M10(来源:Intel)

有社交媒体评论猜测这是否意味着“Optane 2.0”的某种延续。虽然两者技术基础不同——Optane 的优势在于低延迟和持久性,而 AI 推理更侧重带宽——但英特尔保留的先进存储技术和专利,以及在存储架构上的经验,可能为 Saimemory 项目带来间接的裨益。Saimemory 的研发方向更侧重于通过结构创新降低 DRAM 的功耗,这与三星、NEO Semiconductor 等公司主要致力于通过 3D 堆叠提升 DRAM 容量(如单模块 512GB)的研发路径有所区别。

从更宏观的层面看,Saimemory 项目也承载了日本重振其半导体存储器产业的期望。日本企业曾在上世纪 80 年代占据全球 DRAM 市场高达 70% 的份额,但随后在韩国和台湾地区竞争者的冲击下逐渐式微。近年来,随着全球对半导体供应链安全和自主可控的日益重视,日本政府也积极推动本土半导体产业的复兴,并计划到 2030 财年在半导体和 AI 领域投入超过 10 万亿日元的公共资金。Saimemory 若能成功,或许将是日本时隔 20 多年再次在主流存储器市场占据一席之地的关键。

参考资料:

1.https://asia.nikkei.com/Business/Tech/Semiconductors/SoftBank-Intel-work-on-AI-memory-chips-that-use-half-as-much-power

2.https://www.theregister.com/2025/06/02/asian_tech_news_roundup/

运营/排版:何晨龙

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