文章探讨了一种无需EUV光刻机也能实现5nm制程的技术，并展望了其在3nm制程上的可能性。该技术通过多重曝光方式，采用深紫外光（DUV）曝光机来实现。目前，该厂商计划在2025年推出3nm工艺制程的AP（应用处理器），采用全环绕栅极（GAA）技术。然而，市场对其能否在3nm制程上取得成功表示质疑，主要担忧DUV多次曝光带来的良率和生产效率下降问题。文章指出，未来能否克服EUV光刻机依赖将是关键。

💡该厂商通过使用深紫外光（DUV）曝光机的多次曝光，实现了5nm制程的量产，绕开了对EUV光刻机的依赖。

🚀 计划在2025年推出3nm工艺制程的AP（应用处理器），该芯片将采用全环绕栅极（GAA）技术，以提高性能并降低电流泄漏。

⚠️ 市场对该厂商的3nm制程计划表示担忧，认为DUV多次曝光方式会显著增加制程步骤，导致良率和生产效率下降。

🤔 解决问题的核心在于能否克服对EUV光刻机的依赖，这决定了3nm制程的未来发展。

快科技6月2日消则，之前我们说过，不用EUV光刻机也能做出5nm。

前段时间，世界上就有一种“特殊”5nm的消息传出。这种5nm采用了完全不一样的技术路线，避开了EUV光刻机的依赖，采用一种步进扫描光刻机，通过多重曝光实现5nm线宽。

那没有EUV光刻机，3nm有戏吗？

最新报道指出，还是这家5nm品牌，最近已经打算推出3nm工艺制程技术的AP（应用处理器），目标是在2025年问世。

该芯片采用全环绕栅极（Gate-All-Around，GAA）技术能有效降低电流泄漏并提升性能，是台积电、三星等在先进制程上采用的关键技术。

只是，这项计划却面临显著的挑战。 市场普遍质疑，到底能不能行。

之前，他们就是采用了通过使用深紫外光（DUV）曝光机的多次曝光，来达成5nm制程的量产。

市场认为，在3nm米制程上也可能采取类似的方法。 然而，相较于EUV，采用DUV的多次曝光方式会显著增加制程步骤，这不可避免地会导致良率和生产效率的下降。

所以，未来的问题的核心，就看自己能不能搞定EUV光刻机了。