英特尔在电子元件技术大会上推出了EMIB-T，这是其嵌入式多芯片互连桥接封装的重要升级。EMIB-T通过集成硅通孔（TSV）和高功率电容器，优化了电源供应并增强了芯片组间的通信。相比传统EMIB设计，EMIB-T能更可靠地将电源直接传输到芯片组连接点，并补偿电压波动，保持信号完整性，这对HBM4等下一代内存至关重要。英特尔计划从2026年起生产大型EMIB封装，集成更多内存堆栈和计算芯片，并不断推进封装尺寸，与台积电CoWoS技术发展方向相似。此外，英特尔还展示了改进的散热器设计和新的热压粘合工艺。

🔌 **EMIB-T技术升级：** 英特尔推出的EMIB-T技术，通过集成TSV和高功率电容器，显著改进了电源供应的可靠性，并增强了独立芯片组之间的通信能力。

⚡️ **解决电压降问题：** 传统的EMIB设计存在悬臂式供电路径导致的电压降问题，而EMIB-T通过TSV将电源从封装基板直接传输到每个芯片组连接点，有效解决了这一问题。

💾 **支持下一代内存：** EMIB-T的改进对HBM4和HBM4e等下一代内存至关重要，因为这些内存预计通过UCIe接口，每引脚的数据速率将达到或超过32 Gb/s。

📐 **未来封装尺寸规划：** 英特尔计划从2026年开始生产120 x 120毫米的基于EMIB的封装，并预计到2028年将封装尺寸推至120 x 180毫米，以容纳更多内存堆栈和计算芯片。

本周，在电子元件技术大会 (ECTC) 上，英特尔推出了 EMIB-T，这是其嵌入式多芯片互连桥接封装的一项重要升级。EMIB-T 在 2025 年英特尔晶圆代工厂直连大会上首次亮相，它将硅通孔 (TSV) 和高功率金属-绝缘体-金属电容器融入现有的 EMIB 结构中。

英特尔院士兼基板封装开发副总裁 Rahul Manepalli 博士表示，这些改进可实现更可靠的电源供应，并增强独立芯片组之间的通信。传统的 EMIB 设计由于采用悬臂式供电路径，存在电压降问题。相比之下，EMIB-T 则通过 TSV 将电源从封装基板直接传输到每个芯片组连接点。集成电容器可补偿快速电压波动并保持信号完整性。

这一改进对于 HBM4 和 HBM4e 等下一代内存至关重要，因为预计通过 UCIe 接口，每引脚的数据速率将达到或超过 32 Gb/s。英特尔已确认，首批 EMIB-T 封装将达到目前约 0.25 皮焦耳/比特的能效，同时提供更高的互连密度。

该公司计划将凸块间距减小到目前 45 微米的标准以下。从 2026 年开始，英特尔打算生产尺寸为 120 x 120 毫米的基于 EMIB 的封装，大约是单个光罩尺寸的八倍。这些大型基板可以集成多达 12 个高带宽内存堆栈以及多个计算芯片，所有这些都通过 20 多个 EMIB 桥连接。

展望未来，英特尔预计到 2028 年将封装尺寸推至 120 x 180 毫米。这样的设计可以容纳超过 24 个内存堆栈、8 个计算芯片以及 38 个或更多 EMIB 桥。这些发展与台积电为其 CoWoS 技术宣布的类似计划非常相似。

除了EMIB-T之外，英特尔还展示了一种重新设计的散热器，可将热界面材料中的空隙减少约25％，以及一种新的热压粘合工艺，可最大限度地减少大型封装基板的翘曲。