三星正积极扩大HBM4内存的生产规模，试图缩小与SK海力士的差距。通过在韩国华城和平泽的工厂进行大规模投资，三星计划采用更先进的1c DRAM技术作为HBM4的基础。这一策略表明三星对提升1c DRAM良率充满信心。此外，三星还考虑将现有生产线转换为1c DRAM生产，以进一步扩大产能。三星在HBM4关键组件的良率方面也取得了显著进展。市场预测HBM4将在2026年成为市场主流，三星此举旨在抓住这一市场机遇，巩固其在内存领域的地位。

🚀 三星计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM（第六代10nm级）生产，相关投资将在年底前启动，以提升HBM4的产能。

💡 与SK海力士和美光选择1b DRAM作为HBM4基础技术不同，三星选择更先进的1c DRAM，显示其对提高良率的信心。

🏭 三星考虑将华城17号生产线从1z DRAM转为1c DRAM生产，进一步扩大产能，并已在平泽P4园区启动首条1c DRAM生产线，目标月产能为3万片晶圆，未来有望提升至4万片。

✅ 用于12层HBM4的关键组件——4nm逻辑芯片，已在测试生产中实现超过40%的良率，表明三星在HBM4技术方面取得了重要进展。

📈 市场预测，受强劲需求推动，HBM4将在2026年下半年超越HBM3e，成为市场主流解决方案，三星正积极布局以抓住市场机遇。

IT之家 5 月 23 日消息，HBM4 已成为内存巨头的新竞技场，三星正通过激进投资缩小与 SK 海力士的差距。科技媒体 ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）报道称，三星计划在韩国华城和平泽扩大 1c DRAM（第六代 10nm 级）生产，相关投资将在年底前启动。

IT之家援引博文介绍，SK 海力士和美光选择 1b DRAM 作为 HBM4 的基础技术，而三星大胆押注更先进的 1c DRAM，表明三星有信心提升 1c DRAM 良率。

此外还有消息称，三星还考虑在今年底前将华城 17 号生产线从 1z DRAM 转为 1c DRAM 生产，以进一步扩大产能。

该媒体指出，三星今年早些时候已在平泽第四园区（P4）启动首条 1c DRAM 生产线，目标月产能为 3 万片晶圆。若后续扩建顺利，月产能有望提升至 4 万片。

韩媒 Chosun Biz4 月报道，三星用于 12 层 HBM4 的关键组件 ——4nm 逻辑芯片，已在测试生产中实现超过 40% 的良率。

集邦咨询 TrendForce 预测，受强劲需求推动，2026 年 HBM 总出货量将突破 300 亿吉比特，HBM4 将在 2026 年下半年超越 HBM3e，成为市场主流解决方案。