英伟达携手纳微半导体，共同研发800V高压直流(HVDC)架构，旨在彻底革新AI数据中心的电力供应。该合作将利用纳微的氮化镓和碳化硅技术，为英伟达的Rubin Ultra GPU等提供支持。新方案将大幅提升能效，减少铜材使用量，解决传统54V配电系统在吉瓦级AI计算负载下的局限性。这一技术突破有望推动数据中心基础设施领域的重大变革，以满足日益增长的AI计算电力需求。

💡合作背景：英伟达与纳微半导体的战略合作，旨在开发800V高压直流(HVDC)架构，以满足AI数据中心日益增长的电力需求，特别是为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持。

⚡️技术革新：新架构采用800V高压直流电，相比传统的54V系统，能效更高，且能减少多达45%的铜线用量。英伟达计划直接将13.8kV交流电网电力转换为800V高压直流，消除多个转换步骤，以提高效率和可靠性。

📉传统限制：传统54V机架内配电系统在功率超过200kW时，面临功率密度、铜材需求和系统效率降低等问题，难以满足吉瓦级AI计算负载的需求。为1MW机架供电需要超过200kg的铜，这对于下一代AI数据中心来说是不可持续的。

📈市场影响：纳微半导体股价在合作消息公布后一度暴涨200%，反映了市场对这一技术突破的积极预期，以及对数据中心基础设施领域变革的期待。

英伟达正与纳微半导体(Navitas)展开战略合作，共同开发800V电力架构，有望彻底改变AI数据中心的电力供应系统。

当地时间5月21日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800V高压直流(HVDC)架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的"Kyber"机架级系统供电。纳微的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。

有媒体指出，这代表了数据中心基础设施领域的重大技术飞跃，特别是在支撑吉瓦级AI计算负载方面，纳微的技术将一定程度上大幅提升能效并降低铜材使用量。周三美股盘后，纳微股价一度暴涨200%。

现代AI数据中心需要吉瓦(GW)级的电力来满足不断增长的AI计算需求。

根据媒体报道，当前的数据中心架构使用传统的54V机架内配电系统，功率限制在几百千瓦(kW)。这种架构需要使用笨重的铜母线将低压电力从机架安装的电源架传输到计算托盘。当功率增加到200kW以上时，这种架构因功率密度、铜材需求和系统效率降低等问题而达到物理极限。

英伟达的方案是在数据中心外围直接将13.8kV交流电网电力转换为800V高压直流，使用固态变压器(SST)和工业级整流器，消除多个交流/直流和直流/直流转换步骤，最大限度地提高效率和可靠性。

由于800V HVDC的更高电压水平，铜线的厚度可以减少多达45%。

根据I²R损耗原理，相同功率可以通过增加电压和降低电流来传输。使用传统的54V直流系统，为1MW机架供电需要超过200kg的铜，这对于需要吉瓦级电力的下一代AI数据中心来说是不可持续的。