SK 海力士发布了全球首款321层UFS 4.1 TLC NAND闪存，专为智能手机设计，具有更快的速度、更高的效率和更小的体积。与上一代产品相比，这款新型闪存的随机读取速度提高了15%，随机写入速度提高了40%，连续读取速度可达4.3GB/s。此外，封装厚度从1毫米降至0.85毫米，功耗降低7%。SK 海力士将提供512GB和1TB两种容量，预计明年第一季度开始批量出货，并计划将其技术应用于消费者和数据中心SSD。

📱 新型闪存的随机读取速度提升了15%，随机写入速度提升了40%，这将显著提升智能手机的整体性能和多任务处理能力。

⚡ 连续读取速度达到4.3GB/s，有助于加快将AI模型加载到RAM的速度，从而增强设备上的AI性能。

📏 封装厚度从1毫米减少到0.85毫米，有助于智能手机设计更轻薄，满足市场对更小巧设备的追求。

🔋 新设计比上一代节能7%，有助于减少发热并延长电池续航时间，符合节能环保的趋势。

💾 将提供512GB和1TB两种容量选择，用户在选择手机时需要注意，因为不再提供256GB版本。

内存制造商 SK 海力士宣布推出全球首款适用于智能手机的 321 层 UFS 4.1 TLC NAND 闪存，它速度更快、效率更高、体积更小，非常适合注重轻薄机身和 AI 工具的下一代手机。

与 2022 年推出的上一代产品（采用 238 层设计）相比，这些新型存储芯片的随机读取速度提高了 15%，随机写入速度提高了 40%。对于连续读取，其接口最高速度可达 4.3GB/s。

除此之外，NAND 封装厚度从 1 毫米降至 0.85 毫米。这听起来似乎不多，但如果像 Galaxy S25 Edge 这样的手机能够流行起来，那么每一点改进都会带来好处。

除了最近的趋势之外，新的 321 层 UFS 4.1 设计比上一代节能 7%——更少的热量和更高的性能始终是趋势。

SK 海力士表示，顺序读取速度将提高设备上的 AI 性能（因为它将加快将模型加载到 RAM 的速度），而改进的随机性能将促进多任务处理。

该公司将提供两种容量的存储产品——512GB 和 1TB。没错，不会有 256GB 版本，所以在选择下一部手机时，这一点需要注意（就像现在 128GB 机型使用 UFS 3.1 一样）。

SK海力士表示，预计今年这款产品将赢得智能手机制造商的订单，并将于明年前三个月开始批量出货。不仅仅是智能手机，该公司还致力于为消费者和数据中心设计 321 层 SSD。