联发科在COMPUTEX上宣布，其2nm产品将于今年9月进入流片阶段，相较于3nm制程，性能将提升15%，功耗下降25%。预计明年下半年推出的天玑9600将成为联发科首款采用台积电2nm工艺的芯片。台积电2nm制程采用GAAFET架构，提升晶体管密度并降低功耗。然而，2nm制程成本也将上涨，或将导致终端旗舰手机新一轮涨价潮。联发科在全球拥有广泛的芯片应用，平均每人拥有2.5台设备搭载联发科芯片。

🚀 联发科宣布2nm芯片将于今年9月进入流片阶段，相较于3nm制程，性能提升15%，功耗下降25%，标志着其在先进制程上的积极进展。

📱 预计明年下半年发布的天玑9600将是联发科首款采用台积电2nm工艺的芯片，预示着联发科在移动芯片领域的又一次技术革新。

💡 台积电2nm制程采用全新的GAAFET架构，通过全环绕栅极场效应晶体管技术，提升晶体管密度，降低漏电现象，显著降低功耗，但成本也将随之提高。

💰 台积电2nm晶圆的成本将比之前高出10%，这可能导致终端旗舰手机掀起新一轮涨价潮，消费者可能需要为更先进的技术支付更高的价格。

在先进制程的赛道上，3nm制程的热度还未完全消退，2nm制程的角逐已正式开启，在苹果、高通、联发科这三大巨头里，联发科的动作相对更快。联发科首席执行官蔡力行今天在COMPUTEX上发表主题演讲，蔡力行表示，过去10年，全球有超过200亿台设备搭载联发科芯片，地球上平均每人有2.5台设备采用联发科芯片。

他还宣布，联发科2nm产品将于今年9月进入流片阶段，相较3nm制程，2nm性能将提升15%，功耗下降25%。

根据爆料的消息，联发科今年9月发布的天玑9500仍然采用台积电3nm制程，明年下半年的天玑9600则会升级为全新的台积电2nm工艺，这将是联发科第一款2nm芯片。

据悉，台积电2nm制程采用全新的GAAFET(全环绕栅极场效应晶体管)架构，相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的纳米片结构，这一变革大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著降低了功耗。

伴随着2nm时代的到来，其成本也会跟着水涨船高，消息称台积电2nm晶圆的成本将比之前高出10%，这将导致终端旗舰掀起新一轮涨价潮。