🎯英伟达在量产中首次使用钌，这一举措使得铜芯片布线能够延伸至2nm节点及以下。钌的加入为芯片制造带来了新的突破，有助于提升芯片的性能和制造工艺。

💪新型增强型低k介电材料不仅可降低芯片电容，还能增强逻辑和DRAM芯片的3D堆叠能力。使用钌通孔用于互连堆叠的前四层，可将整体电阻大幅降低，最高可达60%。

📋为实现钌通孔与铜线的集成，建议仅在介电侧壁上沉积TaN阻挡层，将钌直接沉积在暴露的铜上。同时，任何此类方案都需要良好的介电表面钝化和钌选择性控制，且首选集群工具工艺。

催化：英伟达铜缆高速链接内增加钌，这是业界首次在量产中使用钌，使铜芯片布线能够扩展到 2nm 节点及以下。这个新型增强型低 k 介电材料也可降低芯片电容并增强逻辑和 DRAM 芯片的 3D 堆叠能力。使用钌通孔用于互连堆叠的前四层可以将整体电阻降低高达60%。为了将钌通孔与铜线集成，他们建议仅在介电侧壁上沉积TaN阻挡层，将钌直接沉积在暴露的铜上。任何此类方案都需要良好的介电表面钝化和良好的钌选择性控制。首选集群工具工艺，因为从暴露的铜上移除原生氧化物可能会损坏介电钝化。钌，它是地壳中含量最少的