英伟达在铜缆高速链接中加入钌，这是量产中的首次应用，可使芯片布线扩展到2nm节点及以下，还能降低芯片电容并增强堆叠能力，同时三星半导体和imec也有相关研究。

🎯英伟达在铜缆高速链接内增加钌，这是业界首次在量产中使用该元素。钌作为地壳中含量最少的铂族金属元素，我国产量稀少。此举措使铜芯片布线能够扩展到2nm节点及以下，具有重要意义。

💡三星半导体的高级工程师Jongmin Baek及其同事研究了优化铜所需的阻挡层和蚀刻停止层的方法。通过侧壁等离子体预处理，将侧壁阻挡层厚度减少了三分之一，接触电阻提高了2%，以提高整体性能。

📈imec的模拟显示了相关内容，虽文中未详细提及，但也表明其在该领域的研究和作用。这种多方的研究和探索，有助于推动半导体行业的发展。

英伟达铜缆高速链接内增加钌，这是业界首次在量产中使用钌，使铜芯片布线能够扩展到 2nm 节点及以下。这个新型增强型低 k 介电材料也可降低芯片电容并增强逻辑和 DRAM 芯片的 3D 堆叠能力。钌，它是地壳中含量最少的铂族金属元素，我国产量稀少。 三星半导体的高级工程师Jongmin Baek及其同事特别研究了如何优化铜所需的阻挡层和蚀刻停止层以提高整体性能。例如，在接触金属—间隔测试媒介中，该团队使用侧壁等离子体预处理将侧壁阻挡层厚度减少了三分之一，接触电阻提高了2%。 imec的模拟显示，使