铠侠（Kioxia）近日发布了CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD，这是首款采用BiCS8 TLC 3D闪存技术的企业级产品。该系列SSD的核心创新在于CBA（CMOS直接键合阵列）技术，通过独立优化CMOS晶圆与存储单元晶圆的生产流程后键合组装，实现了性能与能效的显著提升。新款SSD的顺序读写速度分别高达14.8 GB/s和11 GB/s，并且针对数据中心和云计算环境进行了优化，支持高吞吐量与低延迟需求。目前，CM9系列SSD已向特定客户提供样品，标志着闪存技术从堆叠层数竞争转向异构集成创新。

🚀铠侠推出CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD，率先采用BiCS8 TLC 3D闪存技术，专为企业级应用设计。

💡CM9系列的核心在于CBA（CMOS直接键合阵列）技术，该技术通过优化CMOS晶圆与存储单元晶圆的生产流程，实现了性能与能效的突破性提升，闪存密度翻倍，提升电源效率与可持续性。

💾新款SSD的顺序读写速度分别达到14.8 GB/s和11 GB/s，符合PCIe 5.0、NVMe 2.0及NVMe-MI 1.2c规范，并兼容OCP数据中心NVMe SSD 2.5标准。

☁️针对数据中心和云计算环境优化，CM9系列SSD支持高吞吐量与低延迟需求，尤其适合AI训练、实时分析等高性能计算场景。

快科技5月16日消息，铠侠（Kioxia）近日推出采用BiCS8 TLC 3D闪存技术的CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD，成为首款应用该技术的企业级产品。

其核心创新在于CBA（CMOS直接键合阵列）技术——通过独立优化CMOS晶圆与存储单元晶圆的生产流程后键合组装，实现了性能与能效的突破性提升。

CBA技术使闪存密度翻倍，同时提升电源效率与可持续性表现，为企业级高负载场景提供更高容量与更低功耗方案。

同时，新款SSD顺序读写速度分别达14.8 GB/s（读取）和11 GB/s（写入）（128 KiB/QD32测试条件），符合PCIe 5.0、NVMe 2.0及NVMe-MI 1.2c规范，兼容OCP数据中心NVMe SSD 2.5标准。

针对数据中心和云计算环境优化，其支持高吞吐量与低延迟需求，目前已向特定客户提供样品。

作为首批采用BiCS8闪存的PCIe 5.0 SSD，CM9系列标志着闪存技术从堆叠层数竞争转向异构集成创新。CBA技术可能成为未来高密度存储解决方案的新方向，尤其适合AI训练、实时分析等高性能计算场景。