英伟达量产中首次使用钌使铜芯片布线扩展,新型材料可降电容、增强堆叠能力;华为海思有自对准七重图形成像专利,详细信息刚发表。
💻英伟达在量产中首次使用钌,这是业界首次的尝试。此举措使铜芯片布线能够延伸到2nm节点及以下,新型增强型低k介电材料降低了芯片电容,还增强了逻辑和DRAM芯片的3D堆叠能力,具有重要的技术意义。
📄华为海思的自对准七重图形成像(SASP)获得WIPO专利,申请号为CN2022/097621。该专利的详细信息发表在2024年SPIE高级光刻+图案化会议论文集中,题为“基于芯轴/间隔件工程的图案化和金属化结合金属层分割和严格自对准通孔和切割(SAVC)”,展示了华为海思在技术领域的创新成果。
🎯钌作为地壳中含量最少的铂族金属元素,我国产量稀少。英伟达在铜缆高速中增加钌的应用,这一突破不仅对芯片技术发展有重要影响,也引发了对稀有金属资源利用的思考。

英伟达铜缆高速 增加 钌,这是业界首次在量产中使用钌,使铜芯片布线能够扩展到 2nm 节点及以下。这个新型增强型低 k 介电材料也可降低芯片电容并增强逻辑和 DRAM 芯片的 3D 堆叠能力。钌,它是地壳中含量最少的铂族金属元素,我国产量稀少 华为海思的自对准七重图形成像(SASP)WIPO专利申请号CN2022/097621。该专利的详细信息刚刚发表在2024年SPIE 高级光刻+图案化会议论文集中的题为“基于芯轴/间隔件工程的图案化和金属化结合金属层分割和严格自对准通孔和切割(SAVC)”的