韩国媒体报道，三星电子正计划将内存芯片制造所需的光掩模生产业务进行外包，目前已启动供应商评估流程，候选企业包括日本Toppan控股子公司Tekscend Photomask和美国Photronics旗下PKL。三星计划外包低端产品（i-line 365纳米、KrF 248纳米），内部仅保留高端光掩模（ArF 193纳米、EUV 13.5纳米），并将原i-line / KrF资源转向ArF / EUV研发。此举主要原因是三星自家低端光掩模设备老化且停产，难以找到替代设备，同时低端光掩模技术外泄风险较低，三星更愿意集中力量冲击高端制程建设。

💡光掩模是生产集成电路所需之模具，类似于冲洗相片时利用底片将影像复制到相片上，用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光。

💰三星外包低端光掩模生产的原因是，i-line和Krf设备已经老化，且不再生产，难以找到替代设备，同时低端光掩模技术外泄风险较低。

📈随着半导体技术发展，电路图案越来越精细，生产流程中使用光掩模的数量也越来越多。例如，10nm逻辑芯片需67张，而1.75nm预计需要78张；最先进的DRAM芯片需要60多张。

⛓️多重曝光技术也进一步增加了光掩模所需数量，反映了半导体制造工艺的复杂性提升。

IT之家 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生产集成电路所需之模具，是用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构，其原理类似于冲洗相片时利用底片将影像复制到相片上。

韩国科技媒体 TheElec 今日报道称，三星电子正计划将内存芯片制造所需的光掩模生产业务进行外包。

据称，目前三星已启动供应商评估流程，候选企业包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美国 Photronics 旗下 PKL（IT之家注：厂址位于京畿道），评估结果预计第三季度公布。

TheElec 报道称，三星准备将低端产品（i-line 365 纳米、KrF 248 纳米）进行外包，内部仅保留高端光掩模（ArF 193 纳米、EUV 13.5 纳米），原 i-line / KrF 资源转向 ArF / EUV 研发。

报道称，三星决定将光掩模生产外包的原因有很多，主要是三星自家 i-line 和 Krf 设备已经老化，且不再生产，因此很难找到替代设备；而且低端光掩模技术外泄风险较低，三星更愿意集中力量冲击高端制程建设。

随着半导体技术越来越先进，电路图案越来越精细，生产流程中使用光掩模的数量也越来越多。例如 10nm 逻辑芯片需 67 张，而 1.75nm 预计需要 78 张；传统 DRAM 芯片需要 30-40 张，而现在最先进的 DRAM 芯片需要 60 多张。况且，多重曝光技术也进一步增加了光掩模所需数量。