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酷睿Ultra 200S内核细节曝光:台积电几乎包圆 Intel只贡献22nm基板
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Intel的Arrow Lake酷睿Ultra 200S系列CPU采用chiplet芯粒设计,由台积电代工。该CPU由计算模块(3nm)、核显模块(5nm)、SoC模块(6nm)和IO模块(6nm)四个部分组成。计算模块拥有8个P核和16个E核,二级缓存总计40MB,三级缓存总计36MB。核显模块与Meteor Lake类似,采用四个Alchemist架构的Xe-LPG核心。SoC模块包含NPU引擎、DDR5内存控制器等,IO模块则服务于雷电4和PCIe。

🖥️Arrow Lake CPU采用chiplet芯粒设计,分为四个模块:计算模块(台积电N3B 3nm工艺,117.241平方毫米),GPU核显模块(台积电N5P 5nm工艺,23平方毫米),SoC系统单元模块(台积电N6 6nm工艺,86.648平方毫米),IO输入输出模块(台积电N6 6nm工艺,24.475平方毫米)。

⚙️计算模块拥有8个P核和16个E核,E核分为四个集群与P核交错分布,通过环形总线连接。每个P核有3MB二级缓存,每组四个E核共享4MB二级缓存,总计40MB。三级缓存则是每个P核、每组E核有3MB,合计36MB。

🎮核显模块与Meteor Lake的架构类似,采用四个Alchemist架构的Xe-LPG核心,每个核心内部有八组Dual-XVE计算引擎,并分布着不同规模的一二级缓存。

🔗SoC模块集成第三代NPU引擎、DDR5内存控制器、媒体引擎、显示引擎、USB控制器以及PCIe 5.0 x4/x12物理层。IO模块则服务于雷电4和更多的PCIe,包括两组PCIe 5.0 x4物理层、PCIe 4.0 x8物理层以及雷电4物理层等。

代号Arrow Lake的酷睿Ultra 200S系列已经发布多时,我们终于看到了其内核布局的细节,包括不同模块的安排、具体的制造工艺和面积。

Arrow Lake采用了chiplet芯粒设计,分为四个不同模块,都是台积电制造,是首个几乎完全采用外部代工的产品。

Compute Tile计算模块:台积电N3B 3nm工艺,面积117.241平方毫米。

GPU Tile核显模块:台积电N5P 5nm工艺,面积23平方毫米。

SoC Tile系统单元模块:台积电N6 6nm工艺,面积86.648平方毫米。

IO Tile输入输出模块:台积电N6 6nm工艺,面积24.475平方毫米。

另外,角落里还有两个填充模块,用于补充与支撑整体结构,便于封装,面积分别为2.5平方毫米、17.47平方毫米。

所有模块之下是基板(中介层),Intel 16工艺制造,也就是在原有22FFL 22nm基础上升级而来的(P1227.1B),面积302.994平方毫米。

这是计算模块的具体布局,可以看到八个P核、16个E核,其中后者分为四个集群,与P核交错分布,都挂在中央的Ring Agent环形总线上。

二级缓存每个P核有3MB,每组四个E核共享4MB,并分为1.5MB、1.5MB、1MB三个部分,整体合计40MB。

三级缓存则是每个P核、每组E核有3MB,合计36MB。

核显模块相比于Meteor Lake上的几乎没变,还是四个Alchemist架构的Xe-LPG核心,每个核心内部有八组Dual-XVE计算引擎,还分布着不同规模的一二级缓存。

SoC模块比较复杂,包括第三代NPU引擎、DDR5内存控制器、媒体引擎、显示引擎、USB控制器、PCIe 5.0 x4/x12物理层。

IO模块就比较简单了,服务于雷电4和更多的PCIe,包括两组PCIe 5.0 x4物理层以及缓冲,PCIe 4.0 x8物理层,雷电4物理层、缓冲、显示物理层。

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