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传高通骁龙8 Elite Gen 2的Galaxy独占型号将采用三星2 nm GAA节点工艺
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行业消息显示,三星可能正与高通洽谈合作,生产下一代骁龙8 Elite芯片。尽管此前有传言称该芯片将采用台积电的3纳米工艺,但最新消息指出,高通可能选择三星更先进的2纳米工艺,并在三星位于华城的S3工厂生产。预计该芯片将于明年初开始量产,并可能集成于2026年下半年发布的三星Galaxy智能手机中。此次合作被视为三星代工厂抓住“黄金机遇”的尝试,有望吸引更多大型科技公司的订单。

🤝高通与三星就骁龙8 Elite芯片合作展开谈判,该芯片可能采用三星的2纳米工艺,而非此前传言的台积电3纳米工艺。

🏭芯片预计在三星位于华城的S3工厂生产,并计划于明年初开始量产,初期产量预计约为每月1000片12英寸晶圆,仅占三星2纳米总产能的15%左右。

📱搭载该芯片的三星Galaxy智能手机预计将于2026年下半年发布,设计工作将于2025年第二季度完成,晶圆生产将于2026年第一季度开始。

🌟此次合作被三星视为重要的“黄金机遇”,旨在改善过去五年的业绩不佳,并可能吸引更多大型科技公司的订单。

行业监管机构认为,三星的代工业务因所谓的良率问题而失去了几位关键客户——这家韩国巨头似乎正在努力改进目前正在研发的制造工艺,即2纳米GAA(又名SF2)。半导体业内人士认为,台积电凭借其最近完成的2纳米设计试运行仍然处于领先地位,但有关价格上涨的传闻据报道已令一些重要客户感到不安。

据Sedaily的一篇新报道,高通已与三星代工厂高层展开谈判——半导体行业内部人士声称,“骁龙8 Elite第二代产品”是双方讨论的主要议题。此前,这款下一代旗舰移动芯片组曾被传将采用台积电的3纳米工艺,但新的传闻指出,该公司可能将分拆出一家采用“更先进的2纳米工艺”的公司——该工艺由三星电子位于华城的顶级工厂“S3 ”生产。

Sedaily 和 Jukanlosreve 估计,这款尖端芯片将于明年初开始量产。

今天早些时候,Jukanlosreve 通过一篇长篇社交媒体公告补充了更多推测/背景信息:“预计完成的芯片将集成到定于 2026 年下半年推出的三星 Galaxy 智能手机中。设计工作将于 2025 年第二季度完成,之后将开始量产准备,晶圆生产将于 2026 年第一季度开始。预计产量约为每月 1000 片 12 英寸晶圆。鉴于三星目前的 2 纳米产能约为每月 7000 片晶圆,该项目仅会利用其可用产能的 15% 左右——这表明这只是一笔小额订单,而非大规模订单。” 

这些预测令许多行业观察人士感到意外;三星领导层似乎已试图在未来的旗舰 Galaxy 智能手机设备中优先自家 Exynos 移动处理器的设计。 Jukanlosreve 认为,鉴于三星代工厂过去五年业绩不佳,该公司渴望抓住任何新的“黄金机遇”。

一位不愿透露姓名的内部人士认为:“与高通的合作可能为其带来其他大型科技公司的订单。” Sedaily 就最新的内部谈话向三星总部发出了询问,一位公司发言人回复道:“我们无法确认任何与客户订单相关的信息。”

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