英特尔新任CEO陈立武在Intel Foundry Direct Connect 2025活动中，详细介绍了公司在晶圆代工方面的最新进展。英特尔正与主要客户合作推进14A工艺节点，该节点将采用增强版背面供电技术PowerDirect，并有望成为业界首个使用High-NA EUV光刻技术的节点。同时，关键的18A节点已进入风险生产阶段，预计今年晚些时候量产。英特尔还在开发18A-P和18A-PT版本，后者支持Foveros Direct 3D技术，与台积电展开竞争。此外，英特尔首个16nm量产晶圆已问世，并与联电合作开发12nm节点。

🚀 英特尔正与主要客户合作推进14A工艺节点，该节点是18A的下一代，并配备了增强版背面供电技术PowerDirect，但具体时间表尚未公布。

💡 14A有望成为行业内首个采用High-NA EUV光刻技术的节点，英特尔希望借此超越竞争对手。台积电的A14预计2028年问世，但初期可能不采用该技术。

⚙️ 英特尔的关键18A节点已进入风险生产阶段，预计今年晚些时候开始量产。同时，18A-P性能增强版和支持Foveros Direct 3D技术的18A-PT版本也在开发中。

🤝 英特尔还在成熟制程方面发力，首个16nm量产晶圆已经问世，并且与联电合作开发12nm节点，以拓展市场。

IT之家 4 月 30 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect 2025 活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。

陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效）的主要客户进行接触，这是 18A 工艺节点的后续一代。

英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为 PowerDirect。

英特尔尚未给出 14A 明确的时间表。如果一切按计划进行，14A 将成为行业首个采用 High-NA EUV 光刻技术的节点。台积电的 A14 竞争对手节点预计将在 2028 年到来，但预计不会在生产中使用 High-NA 技术。

陈立武还透露，公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段，预计今年晚些时候将开始量产。

英特尔还透露其新的 18A-P（IT之家注：18A 节点的性能版本）现在正在晶圆厂中运行，早期晶圆也已投产。

此外，英特尔官宣正在开发新的 18A-PT 版本，该版本支持 Foveros Direct 3D，采用混合键合互连，使英特尔能够在其最先进的领先节点上垂直堆叠晶圆。

Foveros Direct 3D 技术是一个关键的发展，因为它提供了一种竞争对手台积电已在生产中使用的功能，最著名的是 AMD 的 3D V-Cache 产品。事实上，英特尔在关键互连密度测量方面的实现与台积电的产品相匹配。

在成熟的节点方面，英特尔晶圆厂现在有了首个 16nm 量产晶圆，该公司现在也在与联电合作开发 12nm 节点。