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小米、荣耀 SM8850 新机被曝搭载豪威 OV50Q 大底主摄
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博主爆料小米、荣耀两款SM8850新机影像信息,均搭载豪威OV50Q大底主摄。荣耀旗舰系列测试OV50Q新主摄,2亿大底潜望镜增强,Pro版采用50Mp+50Mp+200Mp三摄。小米新机也用OV50Q,50Mp 1/1.3"超大底主摄,支持LOFIC技术,实现平滑帧过渡和超级帧合成,提升对焦速度、优化高动态范围并降低功耗。LOFIC技术通过横向溢出积分电容收集溢出光电子,保留高光信息,避免过曝。

📸荣耀和小米的新机都将采用豪威OV50Q大底主摄,预示着影像能力的显著提升。

💡荣耀SM8850旗舰系列Pro版,将配备50Mp+50Mp+200Mp三摄组合,并增强了2亿像素大底潜望镜的能力。

📱小米新机搭载的OV50Q主摄,拥有50Mp 1/1.3"超大底,并支持LOFIC技术,旨在提升对焦速度、优化高动态范围和降低功耗。

🔬LOFIC技术通过在光电二极管旁放置高密度电容,收集溢出光电子,从而在高光场景中保留更多细节,避免过曝。

IT之家 4 月 28 日消息,博主 @数码闲聊站 今日曝光两款 SM8850 新机的影像信息,均搭载了豪威 OV50Q 大底主摄,预计为小米、荣耀旗下产品。

据爆料,荣耀 SM8850 旗舰系列测试一颗新主摄 OV50Q,2 亿大底潜望镜再增强,Pro 版搭载 50Mp+50Mp+200Mp 三摄。

小米新机同样搭载 OV50Q,50Mp 1/1.3" 超大底主摄,支持 LOFIC,支持平滑帧过渡和超级帧合成,提升对焦速度和优化高动态范围,降低功耗,据称“SM8850 新机大规模运用”。

IT之家查询获悉,LOFIC 技术全称是 Lateral OverFlow Integration Capacitor,横向溢出积分电容技术,其基本原理就是在手机影像传感器的每个光电二极管放置一个高密度电容,用来收集原本有可能因为饱和而溢出的光电子。

当光电二极管转化的光电子数量超过原本能承载的最大限度时,多余的光电子就会流到相邻的电容里,而不会因为溢出被“过曝”掉,这就让拍摄场景中的高光信息,更好地被传感器保留下来。

关于这款传感器的更多消息,感兴趣的朋友可以关注IT之家后续报道。

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