台积电在北美技术研讨会上宣布，预计今年下半年开始量产N2芯片，这是其首个采用GAA纳米片晶体管的生产技术。N2技术相较于N3E，性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，晶体管密度增加15%。此外，台积电还计划于2026年投产N2P，进一步提升性能和功耗。N2之后将进入A16节点，采用背面供电技术，预计2026年下半年量产。这些技术升级将巩固台积电的技术领先地位。

🚀 **N2芯片量产在即：** 台积电预计今年下半年开始量产N2芯片，该芯片采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术，是台积电在芯片制造工艺上的重大突破。

💡 **N2技术优势显著：** 相比于台积电已量产的N3E技术，N2技术在相同功耗下速度提升10%-15%，或在相同速度下功耗提升20%-30%，晶体管密度也增加15%。

🔋 **A16技术创新：** N2之后，台积电将进入A16节点，其主要特点是超级电轨架构，即背面供电技术，这种技术将供电网络移至晶圆背面，为正面释放更多布局空间，从而提升芯片的逻辑密度和效能。

📈 **市场前景广阔：** 台积电预计在智能手机和高性能计算应用的推动下，2nm技术在前两年的流片数量将高于3nm和5nm技术，市场前景十分广阔。

台积电在2025年北美技术研讨会上透露，公司有望在今年下半年开始量产N2芯片，这是台积电首个依赖于全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的生产技术。目前，台积电N3(即3nm)家族包括已经量产的N3、N3E，后续还将推出N3P、N3X、N3A和N3C。

而N2（即2nm）技术是台积电的全新工艺技术，称为纳米片或环绕栅极。N2将提供全节点性能和功耗优势，在相同功耗下速度提升10%-15%，或在相同速度下功耗提升20%-30%。

N2与目前台积电量产的N3E相比，性能可以提高10%-15%，功耗能降低25%-30%，晶体管的密度也可以增加15%。

同时，台积电表示N2的晶体管性能接近目标，256Mb SRAM模块的平均良率也超过90%，随着N2走向量产，工艺成熟度将处于较高水平。台积电还预计，在智能手机和高性能计算应用的推动下，2nm技术在前两年的流片数量将高于3nm和5nm技术。

此外，根据台积电持续改进的战略，公司还推出了N2P作为N2系列的扩展，N2P是在N2的基础上又进一步提升了性能和功耗优势，并计划于2026年实现投产。

而N2之后将进入A16（即1.6nm）节点。

A16的主要技术特点是其超级电轨架构，也称为背面供电技术，这种技术将供电网络移至晶圆背面，从而为正面释放更多布局空间，提升芯片的逻辑密度和效能。

台积电在研讨会上表示，A16相比N2P在相同电压和设计下，性能可提升8-10%，相同频率和晶体管数量下功耗下降15-20%；密度提升在1.07-1.10倍范围内。

台积电强调了A16最适合用于信号路由复杂且供电网络密集的特定HPC产品，而A16量产计划于2026年下半年进行。

台积电最后还表示，N2、N2P、A16及其衍生产品将进一步巩固他们的技术领先地位，使台积电能够更好地把握未来增长机遇。