台积电在北美技术论坛上发布了1.4nm工艺（A14），计划于2028年上半年量产，直接对标英特尔的1.4nm工艺。A14作为全新一代工艺节点，相较于2nm工艺，在同等功耗下性能可提升10-15%，同等性能下功耗可降低25-30%，逻辑晶体管密度提升最多约23%，芯片密度提升最多约20%。该工艺采用第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管和新的标准单元架构NanoFlex Pro，但首发时未搭载背部供电网络。台积电计划在2029年推出A14升级版，加入背部供电，进一步提升性能。

🚀 台积电A14工艺是对标英特尔1.4nm工艺的全新一代节点，预计2028年上半年量产，标志着台积电在先进制程技术上的持续投入和积极布局。

💡 A14工艺在性能和功耗方面均有显著提升，与N2 2nm工艺相比，同等功耗下性能提升10-15%，同等性能下功耗降低25-30%，进一步优化了芯片的能效比。

🔬 A14工艺采用第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管和NanoFlex Pro标准单元架构，前者提升了晶体管的控制能力，后者则允许在设计芯片时针对特定应用进行精细调整，以实现更优的PPA（性能、功耗和面积）。

🚫 A14首发时未采用背部供电网络（BSPDN），但台积电计划在2029年推出升级版A14，加入背部供电，进一步提升性能。

🤝 台积电A14与英特尔1.4nm工艺展开竞争，英特尔同样计划在2026年左右推出1.4nm工艺，届时将采用High NA EUV光刻机，双方在先进制程领域的竞争将更加激烈。

台积电在美国举办的北美技术论坛2025上，正式公布了全新的14A 1.4nm级工艺，预计2028年上半年量产，从命名到技术直接对标Intel 14A，后者同样号称1.4nm级工艺。

台积电称，A14是全新升级的一代工艺节点(非过渡型)，对比N2 2nm级工艺，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，逻辑晶体管密度提升最多约23％，芯片密度提升最多约20％。

技术方面，台积电A14升级第二代GAAFET全环绕纳米片晶体管，以及新的标准单元架构NanoFlex Pro，后者可以在设计芯片的时候，针对特定的应用或负载，精细调整晶体管配置，以达成更优的性能、功耗和面积(PPA)。

台积电A14同时还有新的IP、优化、EDA设计软件，这些和N2P 2nm、A16 1.6nm是不兼容的。

遗憾的是，台积电A14首发的时候没有Super Power Rail(SPR)背部供电网络(BSPDN)，这一点和自家的A16、Intel A18/A14截然不同，倒是和自己的N2、N2P一样。

不过，台积电承诺会在2029年推出A14工艺的升级版，加入背部供电，性能更好，但成本也会有所增加。

升级版A14暂时没有名字，可能会叫做A14P。

后期还有可能会演化出更高性能的A14X、更低成本的A14C。

哦对了，台积电的A16、N2P工艺预计2026年下半年量产。

Intel代工在去年2月份成立的时候，宣布了自己的A14 1.4nm级工艺，业界首次采用全新的High NA EUV光刻机，预计2026年左右推出，届时又是棋逢对手。