Cnbeta 04月17日 14:47
每秒存取25亿次 人类最快电子存储器“破晓”
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复旦大学周鹏/刘春森团队研发的“破晓”皮秒闪存器件在集成电路领域取得关键突破,其擦写速度高达400皮秒,刷新了人类对半导体电荷存储器件速度的认知。该研究成果发表于《自然》期刊,解决了非易失存储速度的瓶颈,为AI计算等高速数据存取场景提供了新的解决方案。这项技术创新有望改变全球存储技术格局,推动我国在半导体存储领域实现技术引领。

⚡️ 现有存储技术的局限性:文章指出,传统的存储器如SRAM和DRAM虽然存取速度快,但断电后数据会丢失,且功耗较高。而闪存虽然具备低功耗和非易失性,但存取速度相对较慢,难以满足AI计算等对高速数据存取的需求。

💡 “破晓”闪存的核心技术:研究团队通过理论创新,发现了“超注入”机制,实现了“电压越高,存储越快”的非易失存储。这打破了传统思维定式,将非易失存储速度提升至理论极限。

🚀 “破晓”闪存的性能表现:该器件擦写速度达到400皮秒,远超现有闪存技术,甚至超越了同技术节点下最快的SRAM技术。这意味着该技术在数据存取速度上实现了显著突破。

🌍 技术突破的意义与影响:这项研究成果有望改变全球存储技术格局,推动产业升级,并催生全新的应用场景。同时,该技术将为我国在半导体存储领域实现技术引领提供有力支撑。

复旦大学在集成电路领域获关键突破!由该校周鹏/刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件,擦写速度快至400皮秒,相当于每秒可执行25亿次操作,是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。北京时间4月16日,相关研究成果发表于国际期刊《自然》。



电荷存储器是信息技术蓬勃发展的根基。电荷能以惊人速度与卓越可靠性驱动电子器件内的电流变化,凭借复杂电信号组合,实现数据的高效传输与精准处理。

个人电脑中的“内存”和“硬盘”,是电荷存储器的两种典型代表。“内存”——静态随机存储器“SRAM”和动态随机存储器“DRAM”,存取速度极限低于1纳秒,约相当于3次晶体管开关的速度,代表了当今信息存取速度的最高水平。然而,断电后,其存储的数据会丢失,这种“易失性”特性使其必须消耗一定电能才能发挥作用,限制了其在低功耗条件下的应用。

相比之下,“硬盘”——以闪存为代表的非易失性存储器,在断电后不会丢失数据,具备低功耗优势。但是,由于其电场辅助编程速度远低于晶体管开关速度,它难以满足需要对大量数据极高速存取的场合,例如AI计算等场景。

因此,针对当下AI计算所需的算力与能效要求,存储技术亟须突破,而破局点在于解决集成电路领域最为关键的基础科学问题:超越信息的非易失存取速度极限,也就是断电不丢失,存取还要快。

据了解,研究团队从2015年开始,就集中精力突破电荷存储速度的研究。“最难的是打破思维定式。”周鹏教授说,“一开始,总会觉得存取速度高,数据就必然断电丢失,很难更换思考问题的角度。”

通过突破基础理论的瓶颈,研究团队发现一种电荷存储的“超注入”机制。刘春森介绍,现有的硬盘闪存机制是将电荷注入材料的沟道中以实现信号的存储,注入电压在5伏左右时,注入速度最快,电压高了或低了,速度都会变慢。“而我们的成果是从技术底层开始,提出自己的理论创新,并对材料的物理机制进行调整,实现‘电压越高,存储越快’的‘无极限’‘超注入’存储,将非易失存储速度提升至理论极限。”据此,研究团队重新定义了现有的存储技术边界,并成功研制“破晓”皮秒闪存器件,其性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。

“‘破晓’的名字源于‘皮秒’的‘皮’的谐音,我们希望这个技术能够帮助中国半导体产业突破‘黎明前的黑暗’,可以‘一唱雄鸡天下白’。”周鹏说。

据介绍,闪存作为性价比最高、应用最广泛的存储器,一直是国际科技巨头技术布局的基石,上述成果不仅有望改变全球存储技术格局,推动产业升级,催生全新应用场景,还将为我国在相关领域实现技术引领提供强有力支撑。刘春森透露,目前相关产品正在尝试小规模量产。

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