复旦大学周鹏、刘春森团队取得了在存储技术领域的重大突破，研制出“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。该器件的擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒），刷新了世界纪录，性能超越了同技术节点下最快的易失性存储SRAM技术。这项技术打破了现有存储速度的理论极限，有望颠覆现有的存储器架构，实现存储与计算速度的同步。未来，个人电脑或将不再需要内存和外存，AI大模型也能实现本地部署。目前，Kb级芯片已成功流片，团队计划在3-5年内将其集成到几十兆的水平，为产业化奠定基础。

⚡️ 复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，为“破晓（PoX）”皮秒闪存器件的研发奠定了基础。

🚀 “破晓（PoX）”皮秒闪存器件的擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。

💡 该技术实现了存储、计算速度相当，有望彻底颠覆现有的存储器架构，未来个人电脑将不再需要分层存储，并能实现AI大模型的本地部署。

🔬 目前，基于该技术的Kb级芯片已成功流片，团队计划在3-5年内将其集成到几十兆的水平，为产业化做好准备。

快科技4月17日消息，日前，复旦大学宣布，时隔2周，继二维半导体芯片之后，复旦集成电路领域再获关键突破。

据介绍，复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。

其擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。

相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题在《自然》期刊上发表。

据了解，这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术，实现了存储、计算速度相当，在完成规模化集成后有望彻底颠覆现有的存储器架构。

在该技术基础上，未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能实现AI大模型的本地部署。

团队将“破晓”与CMOS结合，以此打造出的Kb级芯片目前已成功流片，下一步，计划在3-5年将其集成到几十兆的水平，届时可授权给企业进行产业化。