英特尔18A工艺在性能上超越台积电N2和三星SF2，成为新一代节点的领导者。该工艺采用背面供电网络（BSPDN），预计2025年末在Panther Lake CPU中测试，2026年初出货。18A工艺在每瓦性能上提升15%，晶体管密度增加30%以上，并采用RibbonFET设计。此外，18A在SRAM密度方面也取得了显著进展，高性能SRAM单元缩小至0.023微米²，高密度单元缩小至0.021微米²。英特尔创新的PowerVia方法解决了电压降和干扰问题，实现了与台积电N2相媲美的宏位密度，预示着英特尔在芯片制造领域的强大竞争力。

🚀 英特尔18A工艺在TechInsights的自定义评分标准中性能得分为2.53，领先于台积电N2的2.27和三星SF2的2.19，确立了其在性能上的领先地位。

💡 18A工艺是首个采用背面供电网络（BSPDN）的节点，该技术预计将布局效率和组件利用率提高5-10%，降低互连电阻，并将ISO电源性能提高高达4%。

💪 18A工艺在每瓦性能上相比英特尔3提升了15%，并在相同面积内封装了30%以上的晶体管，同时采用RibbonFET设计，目前已进入风险生产阶段。

💾 18A工艺在SRAM密度方面取得了显著进展，高性能SRAM单元缩小至0.023微米²，高密度单元缩小至0.021微米²，打破了之前SRAM缩放已达到稳定水平的假设。

⚡️ 英特尔创新的“环绕阵列”PowerVia方法通过将电源通孔布线到I/O、控制和解码器电路，解决了电压降和干扰问题，最终实现了38.1Mbit/mm²的宏位密度，与台积电N2相媲美。

英特尔的 18A 节点不仅关乎良率和密度（这仍然是非常重要的因素），还关乎性能。据台湾媒体 3C News 援引 TechInsights 的研究和计算，节点性能的新领导者是英特尔 18A。在 TechInsights 使用的自定义评分标准中，英特尔 18A 的性能得分为 2.53，而台积电 N2 的性能得分为 2.27，三星 SF2 的性能得分为 2.19。

这意味着同为两个纳米级节点中，英特尔处于领先地位。作为第一个具有背面供电网络 (BSPDN) 的节点，它将在2025 年末出现在 Panther Lake CPU 中进行测试，并在 2026 年初出货。这种新的电源架构将布局效率和组件利用率提高 5-10%，降低互连电阻，并将 ISO 电源性能提高高达 4%，这要归功于与传统前端电源布线相比固有电阻的显着下降。

与其前身英特尔 3 相比，18A 工艺每瓦性能提升了 15%，并在相同面积内封装了 30% 以上的晶体管。该工艺采用 RibbonFET 设计，已进入风险生产阶段。英特尔表示：“这最后阶段是对量产进行压力测试，然后在 2025 年下半年实现大批量生产。”

 至于SRAM 密度等其他方面，高性能 SRAM 单元从英特尔 3 的 0.03 微米² 缩小到英特尔® 18A 的 0.023 微米²，而高密度单元缩小到 0.021 微米²，分别反映了 0.77 和 0.88 的缩放系数，打破了之前 SRAM 缩放已达到稳定水平的假设。英特尔创新的“环绕阵列”PowerVia 方法通过将电源通孔布线到 I/O、控制和解码器电路来解决电压降和干扰问题，从而将位单元区域从正面电源中解放出来。最终实现了 38.1 Mbit/mm² 的宏位密度，使英特尔能够与台积电的 N2 相媲美。所有这些，加上 BSPDN，英特尔正在构建一个强大的节点。这让外界对未来 18A 工艺充满了期待。