三星计划在2025年11月量产首款2纳米工艺的Exynos 2600芯片，旨在提升其代工业务的竞争力。新任Foundry事业部负责人韩真晚上任后，通过优化生产良率和调整经营策略，取得了显著进展。Exynos 2600采用先进的Gate-All-Around（GAA）技术，有望提升性能并降低功耗。虽然三星在3纳米GAA量产方面曾面临良率挑战，但2纳米工艺的良率已有所提升。尽管如此，三星仍面临与台积电的差距，台积电的2纳米初期良率已达60%。三星需进一步提升工艺，拓展客户，以缩小差距并巩固其在代工市场的地位。

🚀 新芯片计划：三星计划于2025年11月量产首款采用2纳米工艺的Exynos 2600芯片，目标是增强其代工业务实力。该芯片若能成功搭载于2026年一季度发布的Galaxy S26手机上，将对三星代工业务带来积极影响。

💡 技术革新：Exynos 2600芯片采用Gate-All-Around（GAA）技术，相较于传统的FinFET工艺，GAA技术通过四面环绕晶体管结构，提升芯片性能并降低功耗，更适合高性能芯片的需求。

📈 良率提升：2纳米工艺的良率已从年初的20-30%提升至40%以上，远超3纳米时期的表现。良率的提升对芯片的量产至关重要，将直接影响三星代工业务的盈利能力。

🌍 市场挑战：尽管三星在技术上有所进步，但与行业龙头台积电的差距依然明显。台积电的2纳米初期良率已达60%，而量产通常需良率稳定在70-80%。三星面临着提升工艺、拓展客户的挑战。

IT之家 4 月 12 日消息，韩媒 asiae 于 4 月 10 日发布博文，消息称三星计划 2025 年 11 月量产首款采用 2 纳米工艺的 Exynos 2600 芯片。若 Galaxy S26 机型能顺利搭载 Exynos 2600，三星有望借此展示 2 纳米技术实力，吸引更多客户。

IT之家援引博文介绍，新任 Foundry 事业部负责人韩真晚（Han Jinman）上任后取得重大进展。他上任仅四个月，便着手优化生产良率并调整经营策略，全面检视了 2 纳米工艺的生产线和运营模式，不仅巩固技术优势，还拓宽了市场布局。

他积极拓展三星的客户群，从北美大厂扩展至中国、印度和欧洲的设计公司，增加成熟制程订单，以降低固定成本并提升先进制程的竞争力。

Exynos 2600 芯片采用 Gate-All-Around（GAA）技术，相较传统 FinFET 工艺更先进。这种技术通过四面环绕晶体管结构，提升芯片性能并降低功耗，适合高性能芯片需求。

三星此前已率先实现 3 纳米 GAA 量产，但受限于低良率，未能扭转代工业务的亏损局面。据悉，2 纳米工艺的良率已从年初的 20-30% 提升至 40% 以上，远超 3 纳米时期的表现。

业界认为，若 Exynos 2600 按计划搭载于 2026 年一季度发布的 Galaxy S26，将为三星代工业务注入强心剂，助力吸引外部客户。

然而，三星与行业龙头台积电的差距依然明显。台积电的 2 纳米初期良率已达 60%，而量产通常需良率稳定在 70-80%。三星需在下半年进一步优化工艺，以缩小差距。

根据 TrendForce 数据，2024 年第四季度，台积电市场份额达 67.1%，三星仅为 8.1%，首次跌至个位数。

面对挑战，韩真晚提出“技术提升”和“客户拓展”两大目标，推动代工业务转型。尽管市场曾传出三星可能退出代工的猜测，但公司明确表示将持续投资，力求凭借技术整合能力成为行业标杆。