本文报道了在新的关税政策背景下，存储巨头们在HBM3E市场上的竞争态势。三星加速向英伟达供应HBM3E 8H版本，并计划在5月获得12层HBM3E的英伟达认证。SK海力士虽长期占据市场主导地位，但美光凭借先进工艺和散热优势迎头赶上，已通过12层HBM3E验证并开始交付。此外，三星和美光也在积极推进HBM4的研发，计划分别在2025年和2026年推出，预示着未来存储市场的竞争将更加激烈。

🚀 三星积极调整HBM3E产品设计，计划于今年4月大规模供应8H版本给英伟达。同时，若进展顺利，12层HBM3E有望在5月获得英伟达认证，表明三星在HBM3E市场的积极布局。

🔥 美光凭借其10nm-class 1b先进工艺，在HBM市场中展现出竞争力，已通过12层HBM3E验证并开始交付，支持英伟达最新B300产品。美光在产品质量，尤其是在HBM关键的散热管理方面表现突出。

⏳ 存储巨头们也在加速推进HBM4的研发。三星计划在2025年实现HBM4量产，美光预计在2026年推出HBM4。其中，美光预计2025年下半年生产的HBM多为12层产品。

💡 美光的DRAM总产能虽然不及SK海力士，但其10nm-class 1b先进工艺占比更高，这使得美光在产品质量上占优，尤其是在HBM关键的散热管理方面表现突出。

IT之家 4 月 10 日消息，韩媒 Sedaily 于 4 月 8 日发布博文，报道称在美国新关税政策的不确定性下，存储巨头们并未放缓脚步，反而加速角逐 HBM3E 市场。

IT之家援引博文报道，三星调整了 HBM3E 产品设计，计划今年 4 月向英伟达大规模供应 8H 版本。另一家韩国媒体 EBN 透露，若进展顺利，三星 12 层 HBM3E 有望 5 月获得英伟达认证。

SK 海力士长期称霸 HBM 市场，但美光正迎头赶上。另一家韩媒 Sisa Journal 指出，美光 3 月已通过 12 层 HBM3E 验证，并开始交付，支持英伟达最新 B300 产品。

该媒体分析认为美光的 DRAM 总产能虽然不及 SK 海力士，但其 10nm-class 1b 先进工艺占比更高。这让美光在产品质量上占优，尤其在 HBM 关键的散热管理方面表现突出。

此外存储巨头也在加速推进 HBM4 竞赛。三星计划 2025 年实现 HBM4 量产，但其 10nm 1c DRAM 工艺尚未成熟，目标充满挑战。

Business Korea 早前提到，美光预计 2026 年推出 HBM4，而 2025 下半年生产的 HBM 多为 12 层产品。两大巨头在技术升级上各有布局，未来竞争将更激烈。