三星电子正在积极研发1.0nm晶圆代工工艺，旨在技术上实现对台积电的反超。首尔经济日报报道称，三星已组建专项团队，抽调精干研发人员，计划在2029年之后量产1nm工艺。目前，三星在3nm工艺和即将量产的2nm工艺上，与台积电仍有差距。三星对1nm工艺寄予厚望，希望通过引入新技术和高数值孔径极紫外曝光设备，来打破现有设计框架，引领未来。此前有报道称，三星2nm SF2工艺的初始良率高于预期。

💡 三星电子已开始研发1.0nm晶圆代工工艺，旨在与台积电竞争中实现“技术翻盘”。

🔬 三星已组建专项项目团队，抽调曾参与2nm等尖端制程的研发人员，全力攻关1nm工艺。

📅 根据三星公开的晶圆代工工艺路线图，1.4nm工艺计划于2027年量产，而1nm工艺的量产时间预计在2029年之后。

⚙️ 1nm工艺需要打破现有设计框架，引入新技术概念，并采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）曝光设备等下一代设备。

📊 目前，三星的3nm工艺和预计今年量产的2nm工艺在技术上落后于台积电，特别是在2nm工艺良率方面存在差距。此前有报道称，三星2nm SF2工艺的初始良率“高于预期”，搭载该工艺的 Exynos 2600 芯片试产良率为 30%。

🗣️ 三星会长李在镕强调要“延续重视技术的传统”，并表示“以前所未有的技术引领未来”，对1nm工艺寄予厚望。

IT之家 4 月 9 日消息，根据首尔经济日报报道，三星电子开始研发 1.0nm 晶圆代工工艺，以图在与台积电的竞争中实现“技术翻盘”。

根据该日报报道，三星电子半导体研究所近日正式着手研发 1.0nm 工艺，部分曾参与 2nm 等尖端制程的研发人员被抽调，组建了专项项目团队。在目前三星公开的晶圆代工工艺路线图中，计划于 2027 年量产的 1.4nm 工艺为目前最尖端的工艺。

根据该日报所述，1nm 工艺需要打破现有设计框架，引入新技术概念，以及引入高数值孔径极紫外（High-NA EUV）曝光设备等下一代设备。三星预计，量产时间将在 2029 年之后。

目前，三星在量产中的 3nm 工艺，以及预计在今年量产的 2nm 工艺，首尔经济日报认为技术上仍落后于台积电，尤其是 2nm 工艺方面，台积电的良率已突破 60%，存在显著差距。因此，三星对 1nm 工艺寄予厚望，三星会长李在镕上月向高管们强调要“延续重视技术的传统”，并表示“以前所未有的技术引领未来”。

根据IT之家此前援引韩媒 The Bell 报道，三星目前最新的 2nm SF2 工艺初始良率“高于预期”，搭载该工艺的 Exynos 2600 芯片试产良率为 30%。