美光公司在一封致客户的信中宣布，由于供应限制和需求的加速增长，内存价格将持续上涨至2025年和2026年。DRAM、NAND闪存和高带宽内存（HBM）等领域的需求激增是推动这一定价策略的关键因素。内存市场正从供应过剩的周期中复苏，主要供应商的产能削减促成了价格稳定和上涨。美光强调人工智能和高性能计算（HPC）需求是价格调整的主要原因，并计划在新加坡投资70亿美元建设HBM组装工厂，预计于2026年投产。

💡美光宣布上调内存价格，原因是供应限制和需求加速增长。DRAM、NAND闪存和高带宽内存（HBM）的需求激增是主要驱动力。

📈内存市场正从供应过剩周期中反弹，供应商的产能削减促使价格上涨。数据中心、人工智能部署和消费电子产品对内存的需求都在增加。

📢美光强调人工智能和HPC是价格调整的关键因素，并要求合作伙伴提交详细预测报告以优化生产计划。

🏭美光计划在新加坡投资70亿美元建设HBM组装工厂，专注于HBM3E、HBM4和HBM4E的生产，这些技术对下一代AI加速器至关重要。

在致客户的一封信中，美光宣布即将上调内存价格，并将持续到 2025 年和 2026 年，理由是持续的供应限制以及整个产品组合的需求加速增长。该制造商指出，DRAM、NAND 闪存和高带宽内存 (HBM) 领域的需求大幅增长是定价策略背后的关键驱动因素。

内存市场正在从长期的供应过剩周期中反弹，此前该周期曾压低了整个行业的收入。主要供应商实施的战略性产能削减在过去 12 个月内促成了价格稳定和随后的上涨。随着数据中心运营商、人工智能部署和消费电子产品制造商争夺有限的内存分配，预计这种定价轨迹将持续下去。

在与渠道合作伙伴的沟通中，美光强调人工智能和 HPC 要求是导致价格调整的关键因素。该公司已要求合作伙伴提交详细的预测报告，以在受限的市场期间优化生产计划和供应链稳定性。

在定价公告中，美光披露了对新加坡 HBM 组装工厂 70 亿美元的投资。该工厂将于 2026 年开始运营，专注于 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 的生产——这些先进的内存技术对于 NVIDIA、AMD、英特尔和其他初创公司的下一代 AI 加速器和高性能计算应用至关重要。

价格上涨可能会对整个 AI 和 GPU 领域产生连锁反应，可能会提高从消费者游戏系统到企业数据基础设施等产品的成本。我们正在监测这些调整将如何影响硬件更新周期和技术采用率，因为制造商会将增量成本转嫁给最终客户。