台积电高级副总裁 Peter Cleveland 近日透露，台积电在美国亚利桑那州的第二座晶圆厂正在建设中，并希望尽快启动第三座晶圆厂的建设。 这两座晶圆厂将分别采用 3nm FinFET 和 2nm / A16 Nanosheet (GAA) 制程，预计分别于 2028 年和本十年末投产。除了第一轮 650 亿美元的投资外，台积电还计划在美国进行第二轮 1000 亿美元的产能建设，涉及另外 3 座晶圆厂、2 座先进封装设施和 1 间主要研发团队中心。尽管面临劳工成本较高的问题，台积电仍视美国为理想的产能扩张地点。

🏭 台积电在美国亚利桑那州的第二座晶圆厂正在建设中，计划采用 3nm FinFET 制程，预计于 2028 年投产。

🚀 台积电积极推进第三座晶圆厂的建设，该厂将采用 2nm 和 A16 Nanosheet (GAA) 制程，有望在本十年末投产。

💰 除了第一轮 650 亿美元的投资，台积电还计划在美国进行第二轮 1000 亿美元的产能建设，包括另外 3 座晶圆厂、2 座先进封装设施和 1 间主要研发团队中心。

💡 台积电认为美国是扩展产能的理想地点，此举有助于美国在 AI 领域的领先地位，但同时也面临着劳工成本高于台湾地区的问题。

IT之家 3 月 31 日消息，台积电高级副总裁 Peter Cleveland 当地时间 3 月 28 日在美国表示，该企业在美子公司 TSMC Arizona 的第二座先进制程晶圆厂正在建设中，而台积电对第三晶圆厂的态度是希望尽快动工，这需要美国政府在环评认证流程上配合。

根据美国官方《芯片与科学法案》相关网页，TSMC Arizona 第二晶圆厂将提供 3nm FinFET 制程产能，预计将于 2028 年投产；而第三晶圆厂将深入 2nm 和 A16 的 Nanosheet (GAA) 制程，有望在本十年末投产。

除第一轮价值 650 亿美元（IT之家注：现汇率约合 4725.14 亿元人民币）的 3 座晶圆厂投资外，台积电还将在美国境内进行第二轮 1000 亿美元产能建设，这又涉及到另外 3 座晶圆厂、2 座先进封装设施以及 1 间主要研发团队中心。

Cleveland 宣称美国是台积电扩展产能足迹的理想据点，其在美建设计划对美国维持在 AI 领域的领导地位有好处；但美国劳工成本远高于台湾地区，这也带来了一系列问题。该企业与美国商务部就结构性问题有良好沟通。