中国科技报 03月28日 02:27
[今日要闻] 12英寸碳化硅衬底实现激光剥离
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西湖大学孵化的西湖仪器成功研发了12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术,解决了超大尺寸碳化硅衬底切片难题。这项技术利用超快激光加工,实现了碳化硅晶锭减薄、激光加工和衬底剥离的自动化,与传统切割技术相比,几乎无材料损耗,大幅降低了原料损耗,并显著缩短了衬底出片时间。该技术的突破有望加速碳化硅器件的规模化应用,降低成本,推动新能源和半导体产业的发展。这项技术对行业降本增效具有重要意义。

💡 碳化硅因其优异的性能,如更宽的禁带能隙、更高的熔点等,已成为新能源和半导体产业的关键材料。

💰 12英寸碳化硅衬底的应用,能够扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积,从而提升芯片产量,降低单位芯片制造成本。

🚀 西湖仪器开发的12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术,实现了碳化硅晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等过程的自动化,且几乎无材料损耗。

⏱️ 与传统切割技术相比,激光剥离技术可大幅缩短衬底出片时间,适用于未来超大尺寸碳化硅衬底的规模化量产,进一步促进行业降本增效。

    科技日报北京3月27日电 (记者刘园园)记者27日从西湖大学获悉,由该校孵化的西湖仪器(杭州)技术有限公司(以下简称“西湖仪器”)成功开发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术,解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片难题。

    与传统的硅材料相比,碳化硅具有更宽的禁带能隙以及更高的熔点、电子迁移率和热导率,可在高温、高电压条件下稳定工作,已成为新能源和半导体产业迭代升级的关键材料。

    “目前,碳化硅衬底材料成本居高不下,严重阻碍了碳化硅器件的大规模应用。”西湖大学工学院讲席教授仇旻介绍,碳化硅行业降本增效的重要途径之一,是制造更大尺寸的碳化硅衬底材料。与6英寸和8英寸衬底相比,12英寸碳化硅衬底材料扩大了单片晶圆上可用于芯片制造的面积,在同等生产条件下,可显著提升芯片产量,同时降低单位芯片制造成本。

    据国际权威研究机构预测,到2027年,全球碳化硅功率器件市场规模将达67亿美元,年复合增长率达33.5%。去年底,国内企业披露了最新一代12英寸碳化硅衬底。12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片需求随之出现。

    此前,西湖仪器已率先推出8英寸导电型碳化硅衬底激光剥离设备。为响应最新市场需求,西湖仪器迅速推出超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术,将超快激光加工技术应用于碳化硅衬底加工行业,完成了相关设备和集成系统的开发。

    “该技术实现了碳化硅晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等过程的自动化。”仇旻介绍,与传统切割技术相比,激光剥离过程无材料损耗,原料损耗大幅下降。

    仇旻说,新技术可大幅缩短衬底出片时间,适用于未来超大尺寸碳化硅衬底的规模化量产,进一步促进行业降本增效。

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