中微半导体设备（上海）股份有限公司发布了自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona。该设备采用双反应台设计，每个反应腔可同时加工两片晶圆，以降低生产成本并提高生产效率。Primo Halona配备Quadra-arm机械臂和抗腐蚀材料，确保设备的稳定性和耐用性。此外，该设备还具备自对准安装设计和可选装的集成量测模块，以优化产能和提升维护效率。中微公司还在ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star上取得了新的突破，反应台之间的刻蚀精度达到0.2A（亚埃级），进一步提升了技术水平。

✨Primo Halona采用了双反应台设计，可灵活配置最多三个双反应台的反应腔，每个反应腔均能同时加工两片晶圆，从而在保证较低生产成本的同时，满足晶圆边缘刻蚀的量产需求，实现更高的产出密度，提升生产效率。

⚙️设备腔体搭载Quadra-arm机械臂，精准灵活，腔体内部采用抗腐蚀材料设计，可抵抗卤素气体腐蚀，为设备的稳定性与耐久性提供保证。

💡Primo Halona配备独特的自对准安装设计方案，不仅可提高上下极板的对中精度和平行度，还可有效减少因校准安装带来的停机维护时间，从而帮助客户优化产能，精益生产。

🔬该设备提供可选装的集成量测模块，客户通过该量测模板可实现本地实时膜厚量测，一键式实现晶圆传送的补偿校准，实现更好的产品维护性，大大提升后期维护效率。

🎯中微公司在ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star上取得了新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级），这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上均得到了验证。

IT之家 3 月 27 日消息，在 SEMICON China 2025 展会期间，中微半导体设备（上海）股份有限公司（IT之家以下简称“中微公司”）宣布其自主研发的 12 英寸晶圆边缘刻蚀设备 Primo Halona 正式发布。

中微公司介绍称，此款 12 英寸边缘刻蚀设备 Primo Halona 采用其特色的双反应台设计，可灵活配置最多三个双反应台的反应腔，且每个反应腔均能同时加工两片晶圆，在保证较低生产成本的同时，满足晶圆边缘刻蚀的量产需求，从而实现更高的产出密度，提升生产效率。

此外，设备腔体均搭载 Quadra-arm 机械臂，精准灵活，腔体内部采用抗腐蚀材料设计，可抵抗卤素气体腐蚀，为设备的稳定性与耐久性提供保证。

中微公司表示，Primo Halona 配备独特的自对准安装设计方案，不仅可提高上下极板的对中精度和平行度，还可有效减少因校准安装带来的停机维护时间，从而帮助客户优化产能，精益生产。

在设备智能化方面，Primo Halona 提供可选装的集成量测模块，客户通过该量测模板可实现本地实时膜厚量测，一键式实现晶圆传送的补偿校准，实现更好的产品维护性，大大提升后期维护效率。

近日，中微公司宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A（亚埃级）。

据介绍，这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径 2.5 埃的十分之一，是人类头发丝平均直径 100 微米的 500 万分之一。