莫斯科市长宣布，俄罗斯已完成首台350nm光刻机的研发，即将量产，标志着俄罗斯在半导体领域迈出关键一步。该光刻机采用固体激光器，而非传统的汞灯，具有能效高、寿命长等优势，工作区域可支持200mm晶圆。虽然350nm工艺相对落后，但仍能满足部分行业需求，俄罗斯同时推进130nm光刻机研发，并为65nm工艺国产化做准备，旨在实现微电子领域的技术独立。

💡俄罗斯泽列诺格勒纳米中心已完成首台350nm光刻机的研发，即将批量投产，该光刻机是俄罗斯实现微电子国产化和技术独立的关键一步。

✨该光刻机采用固体激光器作为光源，与传统设备不同，具有功率大、能效高、寿命长、光谱集中的优势，工作区域面积为22x22毫米，最大可制造200mm直径晶圆。

🚀虽然350nm工艺看起来相对落后，但仍可满足汽车、能源、通信等领域的部分需求；俄罗斯同时在推进130nm光刻机的研发，预计明年完成。

⚙️俄罗斯已掌握65nm工艺制造技术，但依赖国外进口设备，目前正在为65nm国产化做准备。

快科技3月26日消息，莫斯科市长谢尔盖·索比亚宁(Sergei Sobyanin)公开宣布，来自莫斯科的泽列诺格勒纳米中心(Zelenograd Nanotechnology Center)，已经完成了俄罗斯第一台350nm光刻机的研发工作，即将批量投产。

早在2023年，俄罗斯就披露，将在2024年生产350nm光刻机，2026年生产130nm光刻机，承担这些任务的包括莫斯科、泽列诺格勒、圣彼得堡、新西伯利亚的多家工厂。

2024年5月，俄罗斯披露已完成第一台国产光刻机的组装，并正在测试，可生产350nm芯片。

谢尔盖·索比亚宁现在公布了俄罗斯国产350nm光刻机的第一张实物照片。

他强调：“全球有能力制造这种半导体关键设备的国家不足10个，俄罗斯已经跻身其中。这是俄罗斯迈向微电子国产化、达成技术独立的关键一步。”

据他披露，俄罗斯的光刻机和外国类似设备截然不同，没有使用汞灯作为光源，而是首次使用固体激光器，具有功率大、能效高、寿命长、光谱集中的优势。

同时，俄罗斯光刻机的工作区域面积达到了22x22毫米，最大可制造200mm直径晶圆。

值得一提的是，我国中科院研发成功的DUV激光光源技术，也是完全基于固态设计，有望推进至3nm节点，只是目前还存在功率、频率偏低的不足。

350nm工艺看起来很落后，但依然可以满足汽车、能源、通信等领域的部分需求，而且俄罗斯正在继续推进130nm光刻机的研发工作，预计明年即可完成。

另外，俄罗斯已经掌握65nm工艺制造技术，但依赖国外进口设备，目前也正在为65nm国产化做准备。