文章探讨了国产芯片先进制程面临的挑战与机遇。在光刻机受限的背景下，Chiplet技术和先进封装成为关键路径。混合键合技术因其高密度互连和低功耗特性备受关注，但高端键合设备长期被国外厂商垄断。青禾晶元发布全球首台C2W&W2W双模式混合键合设备，打破了这一垄断，标志着国产半导体先进封装技术的重大突破。该设备通过一体化架构设计，同时支持C2W和W2W双模式，提升了研发效率，降低了运营成本。文章还分析了混合键合的市场前景，以及国产设备对Chiplet等新技术的推动作用。

💡面对光刻机瓶颈，Chiplet技术和先进封装成为国产芯片先进制程的重要突破口，尤其混合键合技术备受关注。

✨青禾晶元发布的SAB 82CWW系列混合键合设备，首次实现C2W与W2W双模式协同，解决了传统封装厂商在良率和产能之间的抉择难题，提升了研发效率，降低了运营成本。

🚀该设备支持8英寸和12英寸晶圆兼容切换，能够处理超薄芯片，并采用独创的芯片边缘夹持技术，显著提升了生产良率和可靠性。

💰混合键合是后摩尔时代的关键技术，预计2030年市场规模将达200亿人民币，主要应用于HBM和3D NAND。目前市场主要被国外厂商占据，国产化率较低，青禾晶元的突破打破了垄断。

🌍混合键合设备的突破，加速了国产Chiplet、存算一体等新技术和新架构的落地，对国产半导体产业具有重要意义。

原创 飙叔科技洞察 2025-03-20 18:09 福建

国产芯片先进制程的希望在哪儿呢？——光刻机，还是另辟蹊径？

国产芯片先进制程的希望在哪儿呢？——光刻机，还是另辟蹊径？尤其是随着全球人工智能产业的集中爆发，以及自动驾驶的进一步普及；国产芯片对于高性能芯片的需求日益迫切！

在光刻机短期内无法突破的情况下，Chiplet技术和先进封装技术就成为面对先进制程挑战的重要路径。同时，面对半导体工艺逐步逼近2nm物理极限，“超越摩尔定律”已成全球半导体产业界的共识，为此先进封装成为最重要的“超越路径”；其中混合键合（Hybrid Bonding）凭借高密度互连与低功耗特性，成为突破的不二之选。但对于国产半导体产业而言，高端键合设备几乎被国外厂商所垄断，成为了国产先进封装突破的“达摩克利斯之剑”。

这一现状，随着3月12日青禾晶元正式发布全球首台独立研发的C2W&W2W双模式混合键合设备而成为历史；同时也意味着国产半导体先进封装正式打破国际巨头技术垄断。

据了解，此次青禾晶元发布的C2W&W2W双模式混合键合设备SAB 82CWW系列，通过一体化架构设计，首次实现C2W（芯片-晶圆）与W2W（晶圆-晶圆）双模式协同。

我们知道，传统封装厂商进行混合键合制程时，往往面临一个关键抉择：选择芯片对晶圆（C2W）还是晶圆对晶圆（W2W）技术路线。这种选择意味着良率和产能的只能取其一；如选择C2W则意味着每颗芯片都需要精准定位，产能受限；而选择W2W则适合小芯片的批量键合，但在大芯片良率波动大。

而此次青禾晶元的SAB 82CWW系列设备最大的创新在于，先进封装厂商不需要选择非此即彼了；其设备实现了同时支持C2W和W2W双模式混合键合，实现两种技术路线的“协同进化”。

因而，这此次青禾晶元的突破不仅有效提升了封装厂商的研发效率，同时还可以极大的降级设备运营的效率和成本；也标志着国产高端键合设备正式成为全球主流，甚至某些技术上实现了超越。

另外，值得特别一提的事，青禾晶元的设备还支持8英寸和12英寸晶圆的兼容切换，能够处理厚度最薄至35微米的超薄芯片，并通过自动更换夹具，兼容0.5×0.5mm至50×50mm的芯片。同时，通过独创的芯片边缘夹持技术，避免了芯片正面的颗粒污染，显著提升了生产良率和可靠性。

同时，由于全球市场对于先进封装的需求正在快速放大，预计未来键合设备的市场也将持续高速增长；目前键合设备市场主要包括引线键合、混合键合（Hybrid Bonding）、晶圆键合（Wafer Bonding）及临时键合/解键合四大技术领域，应用日益广泛，包括半导体封装、存储芯片（如3D NAND、HBM）、消费电子、汽车电子等应用场景。

其中，混合键合是后摩尔时代的关键技术，通过实现高密度互联密度提升10倍以上，预计2030年市场规模预计达200亿人民币，主要应用于HBM和3D NAND。目前混合键合设备市场主要海外企业EVG、SUSS、BESI主导，占据整个市场的90%以上份额，国产化率不足5%。

国内厂商中拓荆科技、迈为股份已推出相关设备并进入验证阶段；而青禾晶元新一代混合键合设备SAB 82CWW系列的发布，不仅打破了EVG等国际龙头在高端混合键合等关键工艺的独家供应，同时为国产3D封装技术和产能的发展提供了可靠的保障；另外，混合键合设备的突破，也进一步加速了国产Chiplet、存算一体等新技术和新架构的落地。

阅读原文

跳转微信打开