三星电子本月初在其华城园区引入了首台ASML生产的High-NA EUV光刻机EXE:5000，价值高达24.88亿元人民币。作为全球唯一供应商，ASML通过增大透镜和反射镜尺寸，将数值孔径提升至0.55，显著提高了光刻精度，是2nm及以下制程的必备工具。High-NA EUV相比现有设备能实现更窄的电路线宽，从而降低功耗并提升数据处理速度。三星计划构建2nm工艺生态系统，加速商业化进程，以应对台积电在晶圆代工市场的领先地位。

💰三星电子斥巨资引入ASML的High-NA EUV光刻机EXE:5000，标志着其在先进制程技术上的重大投入，此举旨在提升光刻精度，为2nm及以下制程做好准备。

⚙️High-NA EUV光刻机的核心优势在于其更高的数值孔径（0.55），相较于现有EUV设备，它能够实现更窄的电路线宽，这直接关系到芯片的功耗降低和数据处理速度提升。

🎯三星晶圆代工业务部负责人强调，尽管在GAA工艺转换上领先，但商业化方面仍需加速，2nm工艺的快速量产是首要任务。三星希望通过引入High-NA EUV光刻机，加速在先进制程上的商业化进程，缩小与台积电的市场份额差距。

📊TrendForce数据显示，三星在2023年第四季度全球晶圆代工市场排名第二，但其收入环比下降，市场份额仅为8.1%。引入High-NA EUV光刻机是三星提升竞争力的关键一步。

快科技3月13日消息，据韩国媒体报道，三星电子已于本月初在其华城园区引入首台ASML生产的High-NA EUV光刻机——EXE:5000，价值高达5000亿韩元（约合24.88亿元人民币）。

ASML是目前全球唯一能够提供此类设备的供应商，其通过增大透镜和反射镜尺寸，将数值孔径（NA）从0.33提升至0.55，显著提高了光刻精度，是2nm及以下制程的必备工具。

与现有EUV设备相比，High-NA EUV能够实现更窄的电路线宽，从而降低功耗并提升数据处理速度。

三星电子计划在完成设备安装后，全面构建2nm工艺生态系统，三星晶圆代工业务部负责人强调，尽管公司在GAA工艺转换上领先，但在商业化方面仍需加速，2nm工艺的快速量产是其首要任务。

TrendForce数据显示，三星在2023年第四季度全球晶圆代工市场排名第二，但其收入环比下降1.4%，市场份额仅为8.1%。

相比之下，台积电以67%的市场份额保持领先地位，此次引入High-NA EUV光刻机，三星有望加速其在先进制程上的商业化进程。