中国国产极紫外（EUV）光刻机研发取得重大进展，华为东莞工厂测试的最新系统采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术，有望打破ASML在先进光刻技术领域的技术垄断。该系统计划于2025年第三季度试生产，2026年实现量产。LDP技术通过高压放电将锡转化为等离子体，产生13.5nm的EUV辐射，与ASML的LPP技术相比，具有结构简化、能效提高、成本降低等优势。尽管面临分辨率、吞吐量等挑战，但EUV光刻机的商业化将挑战ASML地位，并为中国芯片制造提供急需的升级途径。

💡中国国产EUV光刻机采用激光诱导放电等离子体（LDP）技术，计划于2025年试生产，2026年量产，旨在打破ASML的技术垄断。

⚡️LDP技术通过在电极间蒸发锡并通过高压放电将其转化为等离子体，从而产生13.5 nm的 EUV 辐射，具有结构简化、减少占地面积、提高能效以及潜在的更低生产成本等优势。

🛡️尽管面临分辨率、吞吐量稳定性以及与现有半导体制造流程的整合等问题，但EUV光刻机的商业化将为国内芯片生产提供急需的升级途径，并挑战ASML的行业地位。

🤝中芯国际等领先晶圆厂正与华为合作，将 EUV 光刻机集成到现有工作流程中，共同推动中国半导体产业的发展。

中国国产极紫外（EUV）光刻机的发展远非遥不可及。 目前正在华为东莞工厂进行测试的最新系统采用了激光诱导放电等离子体（LDP）技术，代表了一种可能具有颠覆性的极紫外光产生方法。 该系统计划于 2025 年第三季度进行试生产，并于 2026 年实现量产，这有可能使中国打破 ASML 在先进光刻技术领域的技术垄断。

中国系统采用的 LDP 方法通过在电极间蒸发锡并通过高压放电将其转化为等离子体，从而产生 13.5 nm 的 EUV 辐射，其中电子-离子碰撞产生所需的波长。 与 ASML 的激光产生等离子体 (LPP) 技术相比，这种方法具有多项技术优势，包括简化结构、减少占地面积、提高能效以及潜在的更低生产成本。

LPP 方法依靠高能激光器和复杂的基于 FPGA 的实时控制电子元件来实现相同的效果。 虽然 ASML 几十年来不断改进其基于 LPP 的系统，但 LDP 方法固有的效率优势可能会加快中国在这一关键半导体制造技术领域的追赶步伐。 

当美国对中国公司的 EUV 运输实施制裁时，中国的半导体发展受到了严重限制，因为标准的深紫外（DUV）波光刻系统使用 248 nm（KrF）和 193 nm（ArF）波长进行半导体图案化，其中 193 nm 的浸没技术代表了最先进的前 EUV 生产技术。 这些较长的波长与 EUV 的 13.5 nm 辐射形成鲜明对比，需要多种图案技术才能实现先进的节点。

然而，华为的这一系统仍必须回答分辨率能力、吞吐量稳定性以及与现有半导体制造流程的整合等问题。 然而，替代性 EUV 光刻工具的商业化将挑战 ASML 的地位。 ASML 最新的高纳秒级超紫外光刻设备造价约为 3.8 亿美元。 对于中国的研发中心来说，无论成本高低，华为的 EUV 设备都将为老式 DUV 光刻机提供急需的升级途径，而老式 DUV 光刻机此前一直限制着国内的芯片生产。 尽管中国开发了坚实的知识产权，但在工具制造方面却进展有限。

中芯国际等领先晶圆厂正与华为合作，将 EUV 光刻机集成到现有工作流程中。 稳固的半导体制造工作流程需要数年时间才能建立，因此我们还需要耐心等待才能看到成果。