SK海力士正积极研发新一代低功耗内存LPDDR5M，在保持9.6Gbps数据传输速率的同时，通过降低工作电压至0.98V，实现了8%的能效提升。这项技术预计将广泛应用于具备设备端AI功能的智能手机，减少本地运行功耗。同时，SK海力士在HBM领域也取得重要进展，12层堆叠HBM4已进入试产阶段，良品率显著提升。公司计划于2025年6月向英伟达提供HBM4样品，并预计在今年下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品，进一步巩固其在高端内存市场的领先地位。

💡SK海力士致力于开发新一代低功耗内存LPDDR5M，其数据传输速率高达9.6Gbps，与LPDDR5T相同，但通过将工作电压降至0.98V，能效提升了8%，为智能手机等设备带来更低的功耗。

📱LPDDR5M的低功耗特性使其非常适合具备设备端AI功能的智能手机，能够在本地运行密集型操作时消耗更少的电量，满足设备制造商对高效能、低功耗的需求，预计年内推出相关产品。

📈SK海力士在高带宽内存（HBM）领域也取得了显著进展，目前已进入12层堆叠HBM4的试产阶段，良品率从去年底的60%提升至70%，这得益于其采用的1β（b）nm工艺制造DRAM芯片。

🚀根据计划，SK海力士将于2025年6月向英伟达提供HBM4样品，以支持其Rubin架构产品的需求，并预计在今年下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品，2025年第三季度进入全面供应阶段。

快科技2月28日消息，SK海力士正致力于开发新一代低功耗内存LPDDR5M，其数据传输速率与现有的LPDDR5T相同，均为9.6Gbps，但在能效方面实现了显著提升。

LPDDR5M的工作电压从1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。这一技术突破预计将广泛应用于具备设备端AI功能的智能手机中，使其在本地运行密集型操作时消耗更少的电量，从而满足设备制造商对高效能、低功耗的需求。业内人士推测，SK海力士最快将于年内推出LPDDR5M产品。

与此同时，SK海力士在高带宽内存（HBM）领域的研发也取得了重要进展。目前，SK海力士已进入12层堆叠HBM4的试产阶段，良品率从去年底的60%提升至70%。

这一进展得益于其采用了1β（b）nm（第五代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，该工艺在性能和稳定性方面已得到充分验证，并将同样应用于HBM3E产品的生产中。

根据计划，SK海力士将于2025年6月向英伟达提供HBM4样品，以支持其Rubin架构产品的需求。此外，SK海力士预计在今年下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品，并于2025年第三季度进入全面供应阶段，进一步巩固其在高端内存市场的领先地位。